·双方就HBM4研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录
·通过采用台积电的先进制程工艺，提升HBM4产品性能
·“以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方合作的方式，突破面向AI应用的存储器性能极限”
2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录（MOU）。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。
SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的方式，公司将实现存储器产品性能的新突破。”
HBM 是将多个 DRAM 裸片（Core Die）堆叠在基础裸片上，并通过 TSV 技术进行垂直连接而成，基础裸片也连接至 GPU，在 HBM 中扮演非常重要的角色。
包括 HBM3E（第五代 HBM 产品）在内，SK 海力士旗下 HBM 产品的基础裸片此前均采用自家工艺制造，而从 HMB4（第六代 HBM 产品）开始，该公司将采用台积电的先进逻辑（Logic）工艺。
消息称双方将会展开紧密合作，尝试使用台积电的 CoWoS 技术封装 SK 海力士的 HBM 产品，从而在性能和功效等方面，进一步满足客户的定制化（Customized）HBM 产品需求。
SK海力士AI Infra担当社长金柱善表示：“通过与台积电的合作伙伴关系，公司不仅将开发出最高性能的HBM4，还将积极拓展与全球客户的开放性合作（Open Collaboration）。今后，公司将提升客户定制化存储器平台（Custom Memory Platform）的竞争力，以巩固公司‘面向AI的存储器全方位供应商’的地位。”
台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示：“多年来，台积电与SK海力士已经建立了稳固的合作伙伴关系。通过与此融合了最先进的逻辑工艺和HBM产品，向市场提供了全球领先的AI解决方案。展望新一代HBM4，我们相信两家公司也通过密切合作提供最佳的整合产品，为我们的共同客户开展新的AI创新成为关键推动力。”
