6月4日，韩国媒体《全球经济》发表文章称，继最新的DRAM和NAND闪存之后，中国又成功研发出高带宽内存（HBM），给韩国相关行业敲响了警钟。
有人担心，中国的存储芯片技术能力不久后在HBM上也会赶上韩国企业。
最近路透社等外媒报道称，中国代表性存储芯片制造商长鑫存储和长江存储的子公司武汉新芯分别用自己的技术开发了HBM。
长鑫存储已向本国客户发送样品，武汉新芯也计划在今年内建成月产2000片12英寸HBM晶圆的工厂。
从去年开始刮起的AI热潮导致AI半导体需求剧增，HBM迅速成为半导体市场的热门。因为要想让尖端AI芯片发挥出应有的性能，必须使用比现有DRAM更快的HBM。
值得一提的是，HBM不仅性能高，价格也比现有DRAM贵几倍以上，是高附加值产品。专门研究内存半导体的市场研究公司Trend Force预测，HBM在整个DRAM市场的产量份额将从2023年的2%增加到2025年的10%，但就营收而言，将占到整个DRAM市场的30%。这意味着即使销量相同，HBM也能获得更高的利润。
对此，占据HBM市场90%以上份额，引领市场的SK海力士和三星电子也在不断上升。虽然两家公司的主力产品DRAM和NAND闪存市场长期不景气，而且恢复缓慢，但由于HBM需求增加，在今年第一季度的业绩中取得了远远超过业界预期的成果。
中国对HBM市场的参与是一个不可忽视的变量。当然，中国此次研发的HBM产品属于第二代（HBM2）水平，远低于韩国企业最新的第五代产品（HBM3E），目前是面向内需市场的产品，而不是出口，因此并没有立即构成威胁。
但是，目前中国的存储芯片技术能力并不是可以低估的水平。有分析认为，赶上也只是时间问题。
长鑫存储已于去年11月成功量产用于移动设备的低功耗DDR5（LPDDR5）产品，并被评价为在DRAM技术方面已赶上业界领先的韩国公司。去年10月，继韩国率先实现238层之后，长江存储也成功开发了自己的232层3D NAND闪存。
特别是中国成功研发出自己的HBM，意味着他们已经用自己的技术解决了HBM设计的核心和最大挑战“DRAM的垂直堆叠”。
如果政府对该领域也不遗余力地提供巨大支持，中国相关企业在低良品率和高价的情况下也带头购买本国产HBM，那么目前韩国企业几乎垄断的HBM在技术和生产方面也很有可能在数年内被赶超。
随着AI热潮的持续，短期内HBM市场前景也比较乐观。TrendForce预测，到2025年，HBM需求将增加一倍，SK海力士还表示，到明年生产的部分已经全部被采购。
但是，如果SK海力士和三星电子等只依靠现在的繁荣，不急于开发新型HBM和超越HBM的新一代高性能存储器，就像现有的DRAM和NAND闪存以及LCD和OLED显示屏一样，不久的将来就会被中国淘汰，这是显而易见的。
