长江存储X3-6070 QLC闪存已实现4000次P/E擦写寿命

中关村在线2024-03-28 12:35:00  51

长江存储在中国闪存市场峰会(CFMS2024)上表示,其采用第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存已实现4000次P/E擦写寿命。该技术将CMOS电路与闪存阵列分离,提高了QLC的可靠性,并实现了更灵活的电压调制和读取窗口裕度提升。这种新技术的应用将使NAND闪存行业进入上升期,预计2023至2027年的闪存需求总量复合增长率可达21%,单台设备平均容量的复合增长率为20%。

长存CTO霍宗亮表示,在这个上升周期中,存储市场面临的三大新挑战是每Gb成本快速降低、读写性能加速提升和满足多样化需求。客户期望以同样的价格获得更高密度的存储。然而,在密度提升方面,3DNAND的堆叠层数成为业界新问题。因此有必要推动QLCNAND的应用。

长江存储展示了基于其第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存和PC41Q消费级QLC固态硬盘。PC41Q在数据保持能力和可靠性方面媲美TLC固态硬盘,并实现了30℃下1年的数据保持和200万小时的MTBF时间。

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