IT之家7月25日消息，集邦咨询于7月22日发布市场研报，透露苹果公司正酝酿使用QLCNAND闪存，最早2026年用于iPhone产品中，让其存储上限达到2TB。
QLC和TLC
TLC的全称是TripleLevelCell（三层单元），进一步增加存储密度，每个存储单元存储三位信息。
TLCNAND的成本甚至低于MLCNAND，使其成为消费电子产品和主流SSD的有吸引力选择。
QLC的全称是Quad-levelcells（四层单元），每个单元可储存4bit数据，跟TLC相比，QLC的储存密度提高了33%。
QLCNAND通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中，QLCNAND的耐久度最低，通常P/ECycle（ProgramEraseCycle）在100到1000之间。
制造商实施先进的错误校正机制、预留配置（OP）和Wearleveling以维持可靠性。
虽然QLCNAND可能不适合写入密集型工作负载，但它为日常使用提供了充足的存储容量，使固态硬碟在更广泛的用户范围内触手可及。
早有曝料苹果正推进QLCNAND
最早曝料信息称苹果计划在iPhone14系列上采用QLCNAND，IT之家今年1月报道，苹果可能会在iPhone16Pro系列上采用QLCNAND。
集邦咨询预估认为苹果公司正在加速推进QLCNAND换代，从而将内置存储上限提高到2TB。
不过需要注意的是，虽然QLC的密度比TLC高，但速度却比后者慢；而且单个单元中存在更多的单元，它们的耐用性较差，这意味着它们能处理的写入周期比TLC少。
迎接大语言模型
苹果公司还在探索如何使用NAND闪存，而不是内存来存储大型语言模型（LLMs），从而能够在本地运行更多AI任务，因此过渡到QLCNAND可能有助于改善AppleIntelligence的表现。
