台积电已公布了A16（相当于1.6纳米）工艺，预计在2026年实现量产，外媒指出该项工艺很可能会继续采用现有的第一代EUV光刻机实现，原因可能是2纳米EUV光刻机实在太贵了。
ASML今年量产的2纳米EUV光刻机几乎已被Intel抢购一空，业界曾以为三星和台积电会争抢ASML明年的2纳米EUV光刻机，然而外媒指出台积电似乎气定神闲，并未有抢购2纳米EUV光刻机的计划。
这已不是台积电第一次依靠原有的设备生产先进工艺了，此前的7纳米业界就曾认为需要EUV光刻机才能量产，然而台积电却采用DUV光刻机开发了第一代7纳米工艺。
台积电当时坚持采用原有的DUV光刻机开发7纳米工艺，在于EUV光刻机过于昂贵，而且新一代光刻机的出现，往往需要芯片工具、芯片材料等的配合，这就可能导致研发先进工艺面临风险。
相比台积电，三星激进地采用EUV光刻机开发7纳米工艺，三星也如台积电预期的那样遇到了问题，三星的7纳米EUV工艺存在良率过低的问题，诸多芯片企业大多选择了成本更低的台积电7纳米工艺。
不过先进光刻机对于提升芯片性能确实有好处，台积电第二代7纳米工艺就采用了EUV光刻机，性能提升两成以上，证明了先进的EUV光刻机确实有巨大的作用。
相比起第一代EUV光刻机，如今的2纳米EUV光刻机更为昂贵，第一代EUV光刻机的价格大约为1.2亿美元，2纳米EUV光刻机则高达3.8亿美元，昂贵的价格促使台积电计划继续采用原有的EUV光刻机A16工艺。
台积电采用原有的设备开发7纳米工艺和1.6纳米工艺，对中国芯片来说无疑是巨大的启发，意味着中国芯片有可能依靠现有的DUV光刻机开发7纳米、5纳米工艺，这对于当下难以获得EUV光刻机的中国芯片来说意义重大。
事实上目前消息都认为中国芯片行业应该已依靠现有的DUV光刻机实现了接近7纳米工艺的，某国产手机企业的5G芯片应该就已接近7纳米工艺，依靠DUV光刻机进一步开发5纳米工艺有一定的可行性。
早前业界传出国内芯片企业研发成功四重曝光技术，可能并非虚言，依靠这种技术可以进一步挖掘DUV光刻机的潜力，进而实现5纳米工艺。对此浸润式DUV光刻机的奠基人林本坚（台积电前技术负责人）就给出了肯定的答案，他认为DUV光刻机仍有潜力可挖，当然采用DUV光刻机开发5纳米工艺的弊端就是成本偏高。
台积电一再挖掘旧款光刻机的潜力，体现了台积电在芯片技术方面的深厚积累，说明先进工艺未必一定需要最先进的设备来实现，这鼓舞了中国芯片加强技术研发以利用现有的DUV光刻机开发先进工艺的信心，台积电前资深技术负责人之一的梁孟松如今正在中芯国际担任联席CEO，有如此渊源，相信中国芯片开发更先进的工艺有更大的希望。
