据悉,三星电子正在推进设备投资,以开发8英a寸SiC/GaN工艺。迄今为止完成的投资仅在 1000 亿至 2000 亿韩元之间(折合人民币5.3亿-10.6亿元)。该行业正在寻找一个可以超越简单开发和批量生产原型的水平。
三星电子在今年年初成立了“功率半导体 TF”,进军 SiC/GaN 功率半导体市场。据了解,除了三星电子DS事业部内的主要事业部外,LED事业部和三星高等技术研究院也参与了TF。TF的具体目标就是开发8英寸SiC GaN工艺。
三星电子正在开发8英寸SiC功率半导体
据韩国媒体THELEC报导,三星电子正在推进设备投资,以开发8英寸SiC/GaN工艺,目前已经投资了1000 亿至 2000 亿韩元(约合人民币5.3亿至10.6亿元)。
报道称,三星电子在今年年初成立了“功率半导体”任务小组(TF),进军 SiC/GaN 功率半导体市场。据了解,除了三星电子DS事业部内的主要事业部外,LED事业部和三星高等技术研究院也参与了“功率半导体”任务小组,具体目标就是开发8英寸SiC GaN工艺。
一位韩国的知情人士表示,“我了解到三星电子决定推动一项计划,将用于 SiC 和 GaN 开发的 LED 工艺中使用的部分 8 英寸设备混合使用,以提高开发效率。”
值得注意的是,与GaN已经普及8英寸晶圆不同,SiC目前仍以4英寸和6英寸晶圆为主,8英寸晶圆还没有达到商业化。最早2024-2025年,Wolfspeed、Twosix、SK Siltron等大厂正式定下8英寸SiC晶圆量产的目标。
因此,业界认为,考虑到进入实际SiC市场的时机,三星电子正在尝试从8英寸而不是6英寸开始开发工艺。在类似的背景下,DB HiTek 计划使用 6 英寸进行 SiC 工艺的初步开发,并从 8 英寸开始进行实际的功率半导体量产。
目前,三星电子正在投资 8 英寸工艺设施,用于 SiC/GaN 开发,迄今为止的投资额已经超过1000亿至2000亿韩元。据估计,该投资规模足以实现原型的量产,而不仅仅是简单的开发。
报道称,三星电子内部对下一代功率半导体业务抱有相当大的热情。一位业内人士暗示说:随着三星DS 部门总裁Kyung-hyeon直接负责,功率半导体业务正在蓄势待发。
全球8英寸晶圆布局脚步加快
今年来,多个公司发布了投资8英寸晶圆的计划,我们简单汇总下:
2月17日,Microchip(微芯科技)宣布,他们计划投资8.8 亿美元(约60.4亿人民币)扩大其在SiC 和 Si 产能,并且是与 8 英寸晶圆制造技术相关。
2月2日,美国第三代半导体大厂制造大厂Wolfspeed于当地时间2 月1 日宣布,计划投资超过20亿元在德国萨尔建造一座8 吋碳化硅(SiC) 晶圆厂,这也将是Wolfspeed在欧洲的首座晶圆厂,同时也将成为该公司最先进的晶圆厂,以应对包括汽车、工业、能源等产业不断成长的需求。
Wolfspeed 表示,该晶圆厂将成为全球最大的 8 吋碳化硅晶圆厂,占地 35 英亩,将采用创新性制造技术来生产下一代碳化硅晶圆,预计最快 2023 年上半年动工。
3月初,三菱电机宣布计划建立一个新的晶圆工厂,以增加SiC功率半导体的产量。三菱电机将在截至2026年3月的五年内投资约20亿美元用于布局新产能,其中7.56亿美元(1000亿日元)将用于建设一个新的8英寸SiC晶圆厂并加强相关生产设施。
长远来看,8英寸SiC取代6英寸是必然趋势,但8英寸成为主流尺寸仍需时日,产能释放和质量提升都需要较长的周期。未来十年,6英寸SiC衬底仍将是主流尺寸,但8英寸会逐步渗透,两者在相当长的一段时期内将会并存。
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