一、从海力士HBM3到三星290层存储芯片的量产，看不一样的机会
事件：据Kedglobal报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子公司将于本月晚些时候开始批量生产 290 层第九代垂直 (V9) NAND 芯片，以引领行业向高堆叠高密度闪存过渡的竞争对手。业内消息人士周四表示，随着人工智能时代对高性能和大型存储设备的需求增长，这家韩国芯片制造商还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。三星在2030年目标是实现1000层的NAND 芯片存储。
说明1：三星电子是全球最大的内存芯片制造商，约占动态随机存取存储器(下称DRAM)市场份额的40%，占NAND闪存芯片市场份额的1/3，由此我们可以认为三星新的NAND存储的量产将会推动整体存储芯片的走强。同时在海力士HBM3推出的时候，我们看到了有关于海力士相关企业的上涨，那么这次三星是不是也会出现相类似的机会呢？
二、全球存储芯片的市场规模
中商产业研究院发布的《2024-2029年中国存储芯片行业市场发展监测及投资战略咨询报告》显示，2023年全球存储芯片市场规模约为903.7亿美元，同比下降35%。随着AI算力需求的提升，全球存储芯片市场规模将快速增长，中商产业研究院分析师预测，2024年全球市场规模将进一步增长至1529亿美元。
三、看好存储芯片的原因
1）涨价预期
预计2024年全球存储行业市场规模同比增长66.3%，增速位列半导体各细分领域第一名。DRAM和NANDFlash在2024年有望连续4个季度持续涨价:
(1)DRAM合约价在2024Q1-2024Q4分别环比上涨13-18%、3-8%、8-13%、8-13%，2024年全年有望上涨35-63%;
(2)NAND FLASH合约价在2024Q1-2024Q4分别环比上涨18-23%、3-8%、8-13%、0-5%，2024年全年有望上涨31-58%。
说明2：从2024年涨价预期来说，三星存储芯片占有率全球排第一，是有望充分收益的。而且随着新的大容量存储芯片落地，有望推动相关产业链受益。目前一台AI服务器DRAM使用量是普通服务器的8倍，NAND是普通服务器的3倍。
2）英伟达高端GPU对存储芯片的需求
根据TrendForce最新预测：受高阶GPU采用需求提升带动 预估2023年HBM需求量同比增长58％，2024年有望再增长约30％。从高阶GPU搭载的HBM来看，英伟达高阶GPU H100、A100主要采用HBM2e、HBM3。随着英伟达的B100B200以及GB200、AMD的MI200/MI300、谷歌自研的TPU等需求逐步提升，预估2023年HBM需求量将同比增长58％。
说明3：随着GPU性能的提升，对于存储芯片的需求也是同步提升的。根据目前了解的情况海力士、美光美光2024年的HBM产能已经售罄，2025年大部分产能的供应也已经分配完毕，预计HBM产品的出货占比将在2025年大幅度攀升。
四、部分参考供公司
先进封装环节（国外）
联瑞新材(颗粒封装材料GMC供应商，配套供应HBM封装材料GMC所用球硅和Lowa球铝)；雅克科技(球硅产品布局先进封装，前驱体产品供应韩国大厂)
具有韩国市场供应能力的材料龙头企业:华特气体(特气产品供应韩国大厂)；
神工股份(刻蚀硅材料供应韩国市场)。
国内相关公司
存储模组:江波龙、德明利、佰维存储、深科技、万润科技、协创数据
存储芯片设计:东芯股份、兆易创新、北京君正、普冉股份、恒烁股份
存储配套芯片:澜起科技、聚辰股份等
