据全球半导体观察在《全球有多少座8英寸碳化硅芯片厂？》中统计，全球将新建14座碳化硅厂房（在建12座），短期内仅有Wolfspeed莫霍克谷工厂能够提供8英寸碳化硅晶圆，最早则从明年开始陆续有厂家可以供应上8英寸碳化硅晶圆。
近日，多家碳化硅大厂再公布了多条8英寸碳化硅推进的消息。Coherent方面出售英国晶圆厂，推出8英寸碳化硅外延晶圆；碳化硅大厂罗姆出售部分股份，日本电装推出了多个8英寸碳化硅新品；另外包括Resonac在内的多家日本企业进军8英寸键合碳化硅衬底市场。
Coherent出售英国晶圆厂，推出8英寸碳化硅外延晶圆
近日，Coherent宣布了两个重大消息，分别为推出其8英寸碳化硅外延晶圆（SiC epi-wafers）和以2000万英镑（约1.85亿人民币）出售英国晶圆厂。
Coherent官微消息显示，将其位于英国北部达勒姆郡Newton Aycliffe的晶圆厂以2000万英镑的价格出售给英国政府，该晶圆厂主要生产面向通信和航空航天与国防领域制造的砷化镓（GaAs）等半导体射频微电子和光电子器件。
据悉，该晶圆厂自1991年由伊丽莎白女王揭幕以来，至今已有超30年的历史，其占地面积约为31万平方英尺，号称是“英国最大的微芯片工厂之一”。此次Coherent出售该厂，与其与苹果公司供应关系出现重大变动相关。据悉，苹果在2023财年底终止了与Coherent的相关重要产品供货协议，Coherent指出，用于苹果iPhone智能手机3D传感的VCSEL产品销量大幅下滑，对其整体销售额产生明显的影响。
值得注意的是，英国政府不仅完成了收购，还计划对该晶圆厂进行投资，并更名为Octric Semiconductors UK，以新的姿态继续其在半导体制造领域的征程。目前，该工厂是否会生产光电子器件尚未可知，不过，这一战略投资会保证该设施在未来具备生产GaAs半导体以及更强大半导体（包括最新技术）的能力。
另外，Coherent宣布推出其8英寸碳化硅外延晶圆（SiC epi-wafers），其350微米和500微米厚度的衬底和外延晶圆目前正在出货中。Coherent表示，新的8英寸碳化硅外延晶圆采用尖端的厚度和掺杂均匀性设计，树立了新的行业标准，并支持优质碳化硅功率半导体的生产。
今年4月，Coherent曾宣布，其基于CHIPS法案Coherent获得1500万美元的资金，用于加速下一代宽带隙和超宽带隙半导体（分别为碳化硅和单晶金刚石）的商业化。Coherent表示，由于人工智能和计算密集型工作负载的爆炸性需求，这些数据中心的功耗正在快速增长，而碳化硅电力电子器件也因其能大幅提高人工智能（AI）数据中心和传统超大规模数据中心能效方面的潜力而日益得到认可。
碳化硅大厂罗姆出售部分股份，日本电装入局碳化硅
近日，据电装公司（DENSO）官网披露，他们与罗姆开始考虑在半导体领域展开合作，合作将重点围绕汽车应用的半导体的开发和供应；为了进一步巩固合作关系，电装还将收购罗姆的部分股份。
两家公司认为，随着电动汽车的发展和普及，车辆电气化所需的电子元件和半导体的需求正在迅速增加；他们将通过股权整合等进一步深化合作伙伴关系，以实现高度可靠产品的稳定供应，并开发有助于可持续社会的高质量和高效率半导体。
罗姆方面，近期其宣布三大重要消息：一是其第4代SiC MOSFET成功应用于极氪汽车的极氪X、极氪009和极氪001等3款车型的主机逆变器上；二是计划于2025年推出第5代SiC?MOSFET，同时也提前了第6代及第7代产品的市场投入计划；三是今年日本工厂开始生产8英寸SiC，计划于2025年供货。
电装作为Tier1厂商，近年来正在积极布局SiC领域。此前，该公司还曾收购了Coherent（原贰陆）的部分股权。去年10月，电装和三菱电机宣布，他们将各投资5亿美元（约36.5亿人民币），获得Coherent碳化硅业务12.5%的非控股所有权，Coherent拥有剩余75%的所有权，三方将共同成立一家新的SiC子公司。此外，三方还签订了长期供应协议，Coherent将支持2家日本企业6英寸/8英寸碳化硅衬底和外延片需求。
多家日本企业进军8英寸键合碳化硅衬底市场
近日，Resonac（原昭和电工）官网宣布，他们与Soitec签订了联合开发协议，双方将共同开发8英寸SiC。
据悉，Soitec对高品质的SiC单晶基板进行加工，将加工后的表面粘贴到作为支撑基板的多晶?SiC晶片上，并将单晶基板分割成薄膜，从而制作出单个SiC单晶基板。可生产多种高质量 SiC 晶圆的独特技术（SmartSiCTM技术）。通过将Resonac的高质量SiC单晶基板与Soitec的基板接合技术相结合，目标是提高8英寸SiC晶圆的生产率，并使SiC外延片业务的供应链多样化。
在SiC供应方面，Resonac在9月13日宣布新建SiC晶圆厂。其子公司Resonac Corporation已开始在山形县东根市的山形工厂建造SiC晶圆（衬底及外延层）新生产大楼，奠基仪式于9月12日举行。该新工厂建筑面积为5,832平方米，预计将于2025年第三季度完工。
据日媒8月报道，Resonac的8英寸SiC外延片品质已经达到了6英寸产品的同等水平。预计一旦成本优势超过6英寸产品，Resonac就会开始转型生产8英寸产品。
另外，9月27日，住友金属矿山株式会社及其全资子公司Sicoxs Coparation宣布，将在Sicoxs的Ohkuchi工厂建设一条新的8英寸（200mm）SiCkrest大规模生产线，SiCkrest为直接键合的碳化硅（SiC）衬底。住友金属预计，随着8英寸衬底生产线的建成，到2025财年下半年，键合SiC衬底的月产能将超过10,000片（6英寸等效）。同时，Sicoxs还计划开始向其被许可方供应多晶SiC支撑基板。
8月，碳和石墨产品综合制造商东海碳素（Tokai Carbon）拟投资54亿日元在日本神奈川县茅崎市建立一条多晶SiC晶圆专线，并预计将于2024年12月完成建设。东海炭素开发的用于功率半导体的SiC晶圆，被称为“层压SiC晶圆”。层压SiC晶圆是通过将带有预刻槽的单晶SiC晶圆与多晶SiC晶圆键合，然后加热剥离刻槽部分，在作为衬底的多晶SiC晶圆上形成单晶SiC薄膜而制成的。由于单晶SiC层是薄膜，单晶SiC晶圆可重复使用10次以上，一张单晶SiC晶圆可生产10张以上的键合晶圆。
此前报道，今年5月，东海炭素与法国半导体材料制造商Soitec就多晶SiC晶圆达成合作，公司将在中长期内为Soitec供应6英寸和8英寸多晶SiC晶圆。除了在日本茅崎市基地设立多晶SiC专线外，东海炭素还计划在其位于韩国京畿道安城市的现有工厂生产多晶SiC。
