在2023年的科技舞台上，一个令人振奋的消息悄然传开：国内对于“缺芯少魂”的讨论似乎逐渐淡出了公众的视野。这一转变的背后，是华为麒麟9000S芯片的强势发布，它不仅让国人对芯片自主化的焦虑得到了极大的缓解，更用实际行动证明了，即便在美国的严格限制和封锁之下，我们依然有能力打造出纯国产的芯片产品。
华为的壮举，无疑是对美国芯片封锁的一次有力回击。然而，我们也必须清醒地认识到，尽管华为取得了这样的成就，但它并未公开麒麟芯片的具体生产模式。这意味着，对于大多数国内企业来说，传统的芯片制造模式仍然是他们必须遵循的路径。因此，继续发展芯片产业链的自主化，仍然是一条我们必须坚定走下去的道路。
回顾过去的几年，我们在半导体制造领域已经取得了显著的进展。半导体的制造过程大致可以分为设计和制造两个环节。在设计方面，我们已经取得了突破性的成果。国产EDA软件的研发成功，以及自主化芯片指令集架构的推出，都标志着我们在设计环节上已经实现了破局。
而在制造环节，虽然整体过程复杂且技术门槛高，但我们同样取得了不俗的成绩。制造过程可以细分为材料准备、晶圆生产、光刻、蚀刻、清洗和检验、接触金属化、封装和测试等七个环节。在这七个环节中，我们已经实现了多个环节的自主化。例如，材料准备和晶圆生产，我们已经拥有了自主的技术和生产线。蚀刻方面，国产刻蚀机已经达到了全球顶尖水平。清洗、检验、封装、测试等环节，我们也已经实现了技术的自主化。
然而，光刻环节仍然是我们需要攻克的重点和难点。光刻环节中有两个关键的材料：光刻机和光刻胶。光刻机就像相机，是拍摄芯片图案的工具；而光刻胶则像是相机的胶片，是记录图案的关键。在光刻机方面，我们虽然已经有了自己的“相机”，但在精度方面还有待提升。而在光刻胶方面，我们曾经长期依赖日本市场的进口。
但令人振奋的是，最近六家中国企业联合宣布，他们在半导体用光刻胶方面取得了重大突破。其中，精度要求不太高的KrF光刻胶已经实现了量产，而精度更高的ArF光刻胶，虽然还处于验证量产阶段，但这一进展已经足以让我们看到希望。
面对这样的成果，估计连美国的拜登政府也会感到措手不及。毕竟，这意味着我们距离实现高阶芯片的全产业链制造已经只有一步之遥了。外媒对此也给出了高度评价，认为我们的进步速度之快，超乎想象。
而这一步之遥，也不会让我们等待太久。目前，上海微电子的光刻机技术备受瞩目。按照当前的投入和支持力度来看，我们距离高精度光刻机的国产化已经不会太遥远。与ASML公司相比，我们在90nm光刻机阶段已经积累了多年的经验和技术储备，因此我们的起点要比ASML当年高得多。
此外，随着ASML、尼康、佳能等海外光刻机巨头在中国市场的出局，我们的内需将成为推动国产光刻机发展的强大动力。同时，我们还有一个独特的优势：可以调动全部的资源来发展相关技术。这一点在盾构机、全球定位系统等领域的成功案例中已经得到了充分验证。
因此，我们有理由相信，在未来的某一天，我们会以极高的效率打造出属于自己的高阶光刻机。那一天，我们将真正地补齐在半导体领域的短板，实现芯片产业的全面自主化。这一天，不会太远。
