（报告出品方/作者：兴业证券，姚康、仇文妍）
1、公司介绍
芯片封测巨头，业务覆盖面广泛。长电科技是全球领先的集成电路封测厂商。长 电科技 2023 年营业收入为 296.61 亿元人民币，营业利润为 15.20 亿元人民币， 根据芯思想研究院（ChipInsights）发布的 2023 年全球委外封测（OSAT）榜单， 2023 年公司在全球外包半导体(产品)封装和测试市场中的市场占有率约为 10.3%， 排名第三，仅次于中国台湾的日月光控股（占比约 25.9%）和美国的安靠科技（占 比约 14.1%）。公司在品牌领导力、多元化团队、国际化运营、技术能力、品质保 障能力、生产规模、运营效率等方面占有明显领先优势。
封测历史悠久，多地布局产业。长电科技成立于 1972 年，1989 年集成电路自动化生产线投产，2000 年公司改制为江苏长电科技股份有限公司。于 2003 年 6 月 在上海证券交易所上市，同年子公司长电先进公司成立。公司在 2011 年和 2012 年分别在宿迁、滁州建立生产基地并投产，目前两地分别布局了大功率器件引线 框封装、集成电路封装、倒装及测试和小功率器件引线框封装、分立器件及测试。 长电科技于 2015 年完成对星科金朋的收购。收购后，长电科技企业规模扩大，行 业排名从 2013 年第六跃升为 2015 年第四，全球市场占有率从 3.9%提升到 10%， 业务覆盖国际、国内全部高端客户，拥有许多获授权专利，长电科技的营业规模， 客户资源、技术能力、国际影响力得到了全面的提升，星科金朋的技术对长电科 技而言很有互补性和前瞻性。收购后，长电科技对星科金朋进行了深度整合：2021 年 6 月，长电科技星科金朋（新加坡）与收购的 ADI 新加坡测试厂房整合，主要 布局晶圆级封装、eWLB、引线框封装、测试；对星科金朋韩国子公司 SIP 业务整 合组建了长电韩国（JSCK），韩国生产基地主要布局 SiP、芯片堆叠 PoP、倒装及 测试，晶圆级凸块。2024 年 3 月通过议案同意长电科技收购 SANDISK CHINA LIMITED 持有的晟碟半导体（上海）有限公司 80%的股权以布局存储封测市场，晟 碟母公司 Western Digital Corporation（西部数据）是全球领先的存储器厂商。
随着公司的发展，公司的股权结构也在不断改变。公司收购星科金朋完成后，在 2017 年长电科技以发行股份方式购买产业基金、芯电半导体的股权，公司第一大 股东由江苏新潮科技集团有限公司变更为芯电半导体（上海）有限公司，公司从 有控股股东、实际控制人变更为无控股股东、无实际控制人。2024 年 3 月 26 日， 公司股东国家集成电路产业投资基金股份有限公司、芯电半导体（上海）有限公 司拟通过协议转让方式分别将其所持有的公司股份 174,288,926 股、228,833,996 股转让给磐石香港或其关联方。磐石香港控股股东为华润（集团）有限公司，实 际控制人为中国华润有限公司。本次股份转让完成后，磐石香港将持有公司 403,122,922 股份，占公司总股本的 22.54%，成为公司控股股东。
2、先进封装是未来重点，长电紧跟发展趋势布局先进封装
2.1、封装技术不断从传统封装向先进封装演进
后摩尔时代，芯片物理性能接近极限，半导体行业焦点从提升晶圆制程节点向封 装技术创新转移，先进封装技术是为了满足高性能、小尺寸、低功耗和高集成度 的需求而发展起来的。RDL（再布线）、Bump（凸块）、TSV（硅通孔）、Wafer（晶 圆）为先进封装四要素，具备任意一种技术即为先进封装。其中，RDL 起着 XY 平面电气延伸的作用，TSV 起着 Z 轴电气延伸的作用，Bump 起着界面互联和应 力缓冲的作用，Wafer 则作为集成电路的载体以及 RDL 和 TSV 的介质和载体。
先进封装将成为未来封测市场的主要增长点。根据 Yole 和 JW insight 2022 年 数据，2017-2022 年全球半导体封测市场规模从 533 亿美元增长到 815 亿美元， 预计 2023 年将达到 857 亿美元，2026 年将达到 961 亿美元。先进封装相较于传 统封装技术能更好地提升芯片性能和生产效率,其应用场景不断扩展。目前各种不 同类型先进封装技术已广泛应用于人工智能(AI)、高性能运算(HPC)、5G、ARVR 等 领域。根据的 Yole 的数据，2023 年先进封装全球总营收为 439 亿美元，占全球 封装市场的 48.80%，从 2019 年开始先进封装占整体封测市场的比重在不断提 升,2024 年全球先进封装市场预计总营收为 492 亿美元，同比增长 12.3%,市场预 计将在 2028 年达到 724 亿美元规模，2022-2028 年间年化复合增速达 8.7%，相比 同期整体封装市场和传统封装市场增长更为显著。
2.2、AI 带来先进封装市场增长，先进封装未来可期
在 AI 浪潮和 HPC 芯片高需求的带动下，先进封装需求增加明显。据 Fortune Business Insights 数据，2023 年全球人工智能（AI）市场规模为 5153.1 亿美 元，预测到 2032 年，全球 AI 市场规模将将达到 27404.6 亿美元，2024 年到 2032 年实现超过 20.4%的复合增长率，实现飞跃式增长。AI 技术的发展和应用是一个 长期的过程，需要持续的创新和投入。IDC 数据显示，2022 年全球 AI IT 总投资 规模为 1324.9 亿美元，并有望在 2027 年增至 5124.2 亿美元，年复合增长率（CAGR） 为 31.1%。一方面，为提高 AI 计算性能，需要将更多的晶体管封装到一个更小的 体积中，通过先进封装技术可以提高集成电路的密度、优化芯片的布局和设计， 从而提高芯片的性能和能效。另一方面，AI 对数据的存储和处理能力提出了更高 的要求，需要采用先进封装技术提高数据存储和处理能力。AI 服务器是算力的核 心，TrendForce 2023 年数据预估，2023 年全球 AI 服务器的出货量近为 120 万 台，同比增长 38.4%，占整体服务器市场的 9%。2024 年的出货量占比和产值占比预计继续攀升，TrendForce 预估 AI 服务器第 2 季度出货量将季增近 20%，全年出 货量上修至 167 万台，年增率达 41.5%，2024 年 AI 服务器产值将达 1,870 亿美 元，成长率达 69%，产值占整体服务器高达 65%。AI 服务器采用的是异构计算架 构，将 CPU、GPU、FPGA、DSP 等不同架构的运算单元整合到一起进行并行计算， 需要通过先进封装工艺将多个高性能算力芯片集成在一个系统中以提升算力。
AI 算力带动以 AI 手机、AI PC 等应用场景为主的下游终端需求提升。从华为发 布的 Mate60 系列手机接入盘古大模型后,小米、OPPO、三星、苹果等国内外手机 厂商争先通过自研 Al 大模型或联手 AI 大模型厂商的方式推出大模型手机。根据 IDC 的预测，出货量将从 2024 年的近 5000 万台增长到 2027 年的超过 1.67 亿台。 到 2027 年，IDC 预计人工智能个人电脑将占全球个人电脑总出货的近 60%。 主流 AI 手机、AI PC 均采用接入端侧大模型，直接部署于手机、PC 内部,完全依 赖内部芯片算力支持,芯片算力需求增长迅速。AI 需求推动封装技术的进步，为 封测产业带来更大利润空间。同时，随着 AI 的广泛应用，封测产业的市场规模将 进一步扩大，产业发展的市场空间增加。
2.3、各大公司布局先进封装，推出各种封装解决方案
台积电、英特尔和三星等行业巨头以及 ASE、Amkor 和 JCET 等顶级 OSAT 纷纷大 力投资、布局先进封装技术和产能。在外包封测公司中，日月光推出 VIPack?先 进封装平台，提供垂直互连整合封装解决方案，利用先进的重布线层(RDL)制程、 嵌入式整合以及 2.5D/3D 封装技术，在单个封装中整合多个芯片，实现超高密度 和性能设计，实现前所未有的创新应用。日月光 VIPack?的六大核心封装技术包 括：FOPoP、FOCoS、FOCoS-Bridge、FOSiP、2.5D/3D、Co-Packaged Optics。Amkor 提供 SiP、WLCSP、WLSiP/WL3D、WLFO/WLCSP+等封测技术，满足业界对提高集成度、 减小外观规格、降低成本的需求。Amkor 是推动扇出型 WLP 技术 eWLB（嵌入式晶 圆级球栅阵列）的主要力量之一，开发出 300mm 重组式晶圆解决方案。作为晶圆 代工厂的台积电推出 TSMC 3DFabric?先进封装技术系列，提供 InFO、CoWoS、SoIC 等封测技术。台积电的 3DFabric 包括前端和后端技术。前端技术即为 TSMC-SoIC （集成芯片系统），采用尖端硅晶圆厂所需的精度和方法，以实现 3D 硅片堆叠， 其后端技术包括 CoWoS 和 InFO 系列封装技术。IDM 厂商的先进封装技术有:英特 尔的 EMIB、Foveros、Co-EMIB，三星的 FOWLP、FOPLP、X-Cube、HBM，美光的 HMC。 这些封装类型也被无晶圆厂设计公司，如 AMD、Nvidia 等公司使用。根据 YOLE 统 计的 2022 年 TOP15 先进封装厂商的排名情况，前七大厂商占据着主导地位,占据 全球先进封装 80.26%的份额。
2.4、长电科技紧跟行业，发力先进封装
长电科技紧跟行业发展方向，积极布局先进封装。2015 年长电科技收购星科金朋 时，星科金朋拥有的行业领先的高端封装技术能力，如 eWLB、eWLCSP、TSV、3D 封 装、SiP、PiP、PoP 等，能够为国际顶级客户和高端客户提供下世代领先的封装服 务。星科金朋拥有的系统集成封装（SiP）技术，是新一代移动智能终端电路封测 的主流技术；晶圆级扇出封装（“eWLCSP”）技术，是半导体行业增长最快的细分 市场之一，能够在同一生产线无缝加工多种规格硅片，为晶圆级封装带来前所未 有的灵活性和高性价比的封测服务。截至 2024 年 6 月末，公司拥有专利 3,034 件, 产能覆盖了高中低各种集成电路封测范围，涉足各种半导体产品终端市场应用领 域，公司在嵌入式（EWLB）技术和系统集成（SiP）封测领域处于行业领先地位。 目前，长电科技拥有先进封装技术有：扇入型晶圆级封装(FIWLP)、扇出型晶圆级 封装(FOWLP)、集成无源器件(IPD)、硅通孔(TSV)、嵌入型晶圆级 BGA 封装（eWLB）、 包封芯片封装(ECP)、射频识别(RFID)、系统级封装（SiP）、FCBGA、fcCSP、fcLGA、 fcPoP、FCOL 等。其中，长电科技在晶圆凸块的众多合金材料和工艺与质量方面拥 有丰富的经验，包括采用共晶、无铅和铜柱合金的印刷凸块、锡球或电镀技术。 目前的晶圆凸块产品包括 200mm 和 300mm 晶圆尺寸的晶圆直接凸块、重布线凸块 和扇出型凸块，以提供完整的一站式先进倒装芯片封装和晶圆级封装解决方案。
长电科技在先进封装方面相较于其他封测公司有独特的技术优势。长电科技在 SiP 封装的优势体现在 3 种先进技术：双面塑形技术、EMI 电磁屏蔽技术、激光辅 助键合（LAB）技术。双面成型有效地降低了封装的外形尺寸，缩短了多个裸芯片 和无源器件的连接，降低了电阻，并改善了系统电气性能；对于 EMI 屏蔽，长电 科技使用背面金属化技术来有效地提高热导率和 EMI 屏蔽；长电科技使用激光辅 助键合来克服传统的回流键合问题，例如 CTE 不匹配，高翘曲，高热机械应力等 导致可靠性问题。在提供全方位的晶圆级技术解决方案平台方面，长电科技处于 行业领先地位。倒装技术方面，长电科技提供丰富的倒装芯片产品组合，从搭载 无源元器件的大型单芯片封装，到模块和复杂的先进 3D 封装，包含多种不同的低 成本创新选项。
先进封装销售量占比增加，长电科技对其研发投入增加。2023 年，长电科技先进 封装产品的生产量、销售量分别占总封装产品的 30.65%、30.73%。公司研发投入 集中在高性能运算（HPC）2.5D 先进封装、射频 SiP/AiP、汽车电子等新兴高增长 市场。在高性能先进封装领域，长电科技推出了针对 2.5D、3D 封装要求的多维扇 出封装集成 XDFOI 技术平台，XDFOI Chiplet 高密度多维异构集成系列工艺已按 计划进入稳定量产阶段。公司持续推进多样化方案的研发及生产，包括再布线层 （RDL）转接板、硅转接板和硅桥为中介层三种技术路径，覆盖了当前市场上的主 流 2.5D Chiplet 方案，且均已具备生产能力。经过持续研发与客户产品验证，长 电科技 XDFOI 不断取得突破，已在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域 应用，为客户提供了外型更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品 制造解决方案，满足日益增长的终端市场需求。从技术能力、产能布局，长电科 技是目前国内 Chiplet 先进封装领域最大参与者之一。在高性能运算市场，未来 公司将进一步推广 XDFOI 技术，并投入 3D、存储芯片和光电合封（CPO）的封装研 发。
长电科技的先进封装产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用。长电科技 在 5G 通信类、高性能计算、消费类、汽车和工业等重要领域拥有行业领先的半导 体先进封装技术（如 SiP、WL-CSP、FC、eWLB、PiP、PoP 及 XDFOI?系列等）以及 混合信号/射频集成电路测试和资源优势，并实现规模量产，能够为市场和客户提 供量身定制的技术解决方案。 在通信领域，长电科技提供全系列的先进封装和测试解决方案，包括 2.5D/3D 封 装、晶圆级封装、系统级封装（SiP）等，为客户提供完整的通信领域芯片成品制 造解决方案。在系统级封装领域，长电科技在积极发展 2.5D/3D 封装技术的同时， 也着力发展异构集成的 SiP 模组技术。公司深度布局的高密度异构集成 SiP 解决 方案，已应用于多款高端 5G 移动终端；移动终端的主要元件基本实现了所需封装类型的全覆盖。
在高性能计算领域，长电科技为高性能计算提供一系列封装和测试解决方案，涵 盖焊线封装、倒装芯片封装、晶圆级封装（WLP）和系统级封装（SiP）。长电科技 独有的 XDFOI 技术，作为一种新型无硅通孔（TSV）晶圆级极高密度封装技术，可 以为高性能计算应用提供多层极高密度走线（3 层 RDL、L/S 2 微米）和极窄节距 凸块互联（节距 40 微米），并可集成多颗芯片、高带宽内存（HBM）和无源器件， 在优化成本的同时实现更好的性能及可靠性。在云计算领域，公司具备全尺寸 fcBGA 产品工程与量产能力；在半导体存储市场领域，封测服务覆盖 DRAM，Flash 等各种存储芯片产品，16 层 NAND flash 堆叠，35um 超薄芯片制程能力，Hybrid 异型堆叠等，都处于国内行业领先的地位。 在汽车电子领域，对于车载 MCU 的主流封装方式 QFP/QFN 与 BGA，长电科技提供 成本极具竞争力的车规表面涂层处理的铜线 QFP/QFN 和 BGA，并在 QFP/QFN 封装 技术上拥有超过千亿颗出货量的丰富经验。此外，车规级倒装、系统级封装（SiP）、 扇出型晶圆级封装以及 DBC/DBA 等技术均被广泛采用。目前已量产倒装芯片的 L/S 达 10 微米，Bump Pitch 小至 70 微米；车规级量产 1/2/3L RDL 的 L/S 达到 8 微 米；量产验证过的最大 eWLB 封装成品尺寸达到 12x12mm。长电科技也正在积极推 动高性能陶瓷基板如 DBC、DBA 的量产应用。
在高密度封装集成工艺方面，长电科技提供包括高密度贴装 SMT 能力、激光辅助 键合（LAB）、双面成型 SiP、电磁干扰屏蔽等多项业界领先技术，可以用于射频前 端模组（RFFE）、毫米波天线 AiP 模组等产品。公司不断拓展 TOLL、TO263-7、 TO247-4 开尔文封装形式，开发底部、顶部和双面散热等新型散热结构，应用银烧 结和 DBC 等先进工艺；已在垂直供电模块 VCORE 的封装材料、结构、热管理、制 造工艺以及技术服务等方面积累了丰富经验。
3、热点应用领域带动封测行业景气度提升，长电全球化布局 优势逐渐体现
3.1、长电科技布局全球，海外业务营收占比大
长电科技全球布局,各生产基地各具技术特色。目前，长电科技在中国、韩国 和新加坡设有八大生产基地和两大研发中心，在 20 多个国家和地区设有业务 机构,可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持。公司拥有 主营先进封装的星科金朋、长电韩国、长电先进、长电江阴，和主营传统封 装的滁州、宿迁多个厂区,各生产基地分工明确、各具技术特色和竞争优势。
长电科技主要收入、利润来自海外工厂。2015 年，长电科技收购星科金朋后，境外业务的营业收入占总营业收入的 75.87%。之后，境外业务的营收占比一 直保持在 70%以上，且规模保持逐年增长趋势。
长电科技拥有稳定的全球多元化优质客户群。公司业务拥有广泛的地区覆盖， 在全球拥有稳定的多元化优质客户群，客户遍布世界主要地区，涵盖集成电 路制造商、无晶圆厂公司及晶圆代工厂，并且许多客户都是各自领域的市场 领导者。
3.2、热点应用领域带动封测行业景气度提升
随着消费市场需求趋于稳定、存储器市场回暖、人工智能与高性能计算等热 点应用领域带动等因素作用，2024 年全球半导体封装复苏。费半指数在 2023 年下半年开始从 2022 年起的下降趋势中转为上升，在 2024 年 7 月 10 日达 到近期最高:5,904.54。根据 Omdia 最新报告，2024 年第一季度，全球半导 体市场营收为 1515 亿美元，相较去年同期的 1205 亿美元年增长 25.7%。 2024 年上半年封测行业各公司的营收开始从同比下降转为同比上升。2023 年， 日月光控股营收是同比下降的，而从 2024 年 Q1 开始，日月光控股营收开始 同比上升，2024 年 Q1 日月光控股营收 301.68 亿元，同比上升 1%，2024 年 Q2 日月光控股营收 318.57 亿元，同比上升 3%。从月度数据看，2024 年 1 月 公司营收 107.65 亿元,同比上升 5.01%，结束自 2022 年 11 月起,连续 14 个 月同比下降。2023 年，安靠科技营收同比下降 8.30%，但从 2024 年 Q2 开始 由 2023 年 Q1 开始的同比下降转为同比上升，2024 年 Q2 营收 102.95 亿元， 同比上升 0.21%。从 2022 年 Q2 开始南茂科技营收同比下降，而 2023 年 Q3 开始就转为同比上升，2024 年 Q1 南茂科技营收为 12.31 亿元，同比上升17.70%。从月度数据看，2023 年 8 月公司营收 4.16 亿元,同比上升 6.9%，结 束自 2022 年 6 月起,连续 14 个月同比下降，而在 2024 年 1 月公司营收同比 上升最多，达到 28.4%，营收 3.88 亿元。
长电科技营收也在 2024 年左右转为同比上升。长电科技从 2023 年 Q1 营收 开始同比下降，到 2023 年 Q4 营收转为同比上升。2023 年 Q4，长电科技营收 92.31 亿元，同比上升 2.75%，2024 年 Q1 营收 68.42 亿元，同比上升 16.75%； Q2 营收 86.45 亿元，创下二季度营业收入历史新高，同比上升 36.94%，环比 上升 26.35%。相较于行业内其他公司，营收上升较大。 在营收同比上升的同时，各公司的毛利率也有所上升。日月光控股在 2023 年 每个季度的毛利率、净利率都是同比下降的，毛利率同比下降 4.34pcts，净 利率同比下降 5.02pcts。2024 年 Q1 开始，日月光控股毛利率停止同比下降， 与 2023 年同期毛利率相近，2024 年 Q1 毛利率为 15.71%，同比上升 0.94 pcts，2024 年 Q2 毛利率为 16.45%，同比上升 0.49pcts。而净利率同比仍略 有下降，2024 年 Q1 净利率为 5.67%，同比下降 0.21pcts，2024 年 Q2 净利率 为 6.43%，同比下降 0.47pcts。安靠科技单季度毛利率和净利率从 2022 年 Q4 开始环比下降，2023 年全年，安靠科技毛利率同比下降 4.25pcts，净利率为 同比下降 5.25pcts。2024 年 Q1，毛利率为 14.80%,同比上升 1.60pcts，净 利率为 4.32%,同比上升 1.26pcts，2024 年 Q2，毛利率为 14.50%,同比上升 1.70pcts，净利率为 4.59%,同比上升 0.20pcts。南茂科技单季度毛利率在 2023 年 Q3 就从 2022 年 Q2 开始的同比下降转为同比上升，净利率也在 2023 年 Q4 转为同比上升。2023 年整年，南茂科技毛利率同比下降 4.27pcts，净 利率同比下降 6.51pcts。2024 年 Q1，毛利率为 14.22%,同比上升 1.85pcts， 净利率为 9.58%,同比上升 4.61pcts。
长电科技封测业务季度毛利同样持续改善。2023 年，长电科技实现归母净利 润为 14.71 亿元,与 2022 年相比减少 17.6 亿元,同比减少 54.48%，毛利率为 13.65%，同比下降 3.39pcts，净利率为 4.96%，同比下降 4.61pcts。而在 2024 年 Q1 毛利率为 12.20%，同比上升 0.36pcts，净利率为 1.96%，同比上升 0.08pcts；Q2 毛利率为 14.28%，环比上升 2.08pct，净利率 5.59%，环比上 升 3.63pct。相较于行业内其他公司，毛利率在 2024 年 Q2 同比上升较大。
3.3、封测龙头备战先进封装赛道，长电也加大先进封装研发投入
封测龙头研发费用率均明显上升。日月光控股每年调拨 3-5%的营收在技术研 发上，2023 年，公司研发支出为 57.93 亿元，研发费用率为 4.38%，相较于 2022 年研发支出增加 2.57 亿元，研发费用率同比上升 0.75pcts，主要技术 研发投入在系统级封装(SiP Module)、2.5D/3D IC、扇出型(Fan-Out)晶圆级 封装及微型化。截至 2024 年 1 月 31 日,日月光投控拥有 6,433 件专利,布局 主要在各种封装测试技术和电子制造服务技术。2024 年，公司在封装研发费 用预计投入 22.45 亿元，测试研发费用预计投入 4.51 亿元。安靠科技每年调 拨 2-3%的营收在技术研发上，2023 年，公司研发支出为 12.51 亿元，研发费 用率为 2.73%，相较于 2022 年研发支出增加 1.98 亿元，研发费用率同比上 升 0.62pcts。研发费用率的提升主要由于公司开发高度集成的 SiP 模块以降 低材料和加工成本并最大限度地缩小可穿戴设备和移动设备的外形尺寸；开 发用于 2D 和 3D 系统芯片的晶圆级和面板级封装，这类封装越来越成为物联 网和移动设备许多应用的首选封装类型；开发涉及基于 SiC 设备的高功率模 块；开发集成多芯片解决方案，包括多芯片模块和高密度 WLFO 解决方案，这 些解决方案支持不同类型和级别的硅片技术的封装级集成，适用于高性能计 算、网络和数据中心应用，以更低的总产品成本提供更高的功能。截至 2023年 12 月 31 日，安靠科技约有 950 名员工从事研发活动。南茂科技历年研发 费用率大约在 4.71%左右，2023 年，南茂科技研发支出为 2.48 亿元，研发费 用率为 5.12%，相比于 2022 年，虽然研发费用降低了 0.15 亿元，但研发费 用率同比增加了 0.19pcts。为确保公司竞争优势,2024 年预计投入约 2024 年 度全年营收的 5%的研发费用。公司主要研发人员在半导体产业皆有 10 年以 上的工作经验,截至 2023 年，南茂科技已取得国内外 565 项专利权。2023 年 南茂科技研发费用率增长主要是由于公司为抓住单芯片整合与轻薄短小等趋 势的需求以及 AI 与 5G 等新兴运用的崛起的产业发展的契机，持续投入研究 开发。2023 年公司成功开发的重点产品与技术有：Tall bump height Cu Pillar 制程，达到 bump height 100um 产品需求；2P2M Cu Pillar 产品，以 提供 Cu Pillar 类产品重新布线需求；高密度(>4000 Chs)多层 COF 软板内引 脚接覆晶合封装技术服务；次世代 Micro LED 驱动 IC 封装制程，应用于高解 析度面板技术服务；高密度覆晶(FC)封装，应用于服务器高速芯片；高散热 系数树脂，应用于高速通用闪存(UFS)之散热封装技术。
长电科技也增加研发费用用于研发先进封装。公司对先进封装领域持续进行 研发投入，研发费用率维持在 4-5%左右。2023 年，公司研发支出为 14.40 亿 元，研发费用率为 4.85%，公司拥有研发人员 2897 人，相较于 2022 年，研 发支出增加 1.27 亿元，研发费用率同比上升 0.96pcts。2024 年 H1，公司研 发费用为 8.2 亿元，占营收比例 5.3%。长电科技拥有丰富的多样化专利,覆 盖中、高端封测领域。公司研发投入集中在高性能运算（HPC）2.5D 先进封 装、射频 SiP/AiP、汽车电子等新兴高增长市场。公司完成新一代毫米波 AiP 方案及 WiFi 和 5G 射频模组的开发并投入生产。在 2.5D 高性能先进封装领 域，公司持续推进多样化方案的研发及生产，包括再布线层（RDL）转接板、 硅转接板和硅桥为中介层三种技术路径，覆盖了当前市场上的主流 2.5D Chiplet 方案，并已在集团旗下不同的子公司实现生产。汽车电子方面，利用 扇出型封装的雷达 AiP 芯片研发取得突破，公司设计服务射频实验室和客户 合作进行了多个设计验证。目前公司可以通过半固化片有机基板类 FCCSP 型 封装和聚酰亚胺再布线类扇出型封装给汽车雷达提供多种定制高性能封装解决方案，增强了公司在汽车传感器领域的优势。在 SiC 的高功率模块方面， 目前已启动完整 SiC 模块封装产线搭建工作，预计将在 2024 年上半年完成， 并于下半年提供新能源汽车电驱核心模块样品给到客户。2023 年，公司继续 保持在封装测试知识产权领域的领先地位，有效专利保有量在该领域居全世 界第二，中国大陆第一。
未来，公司继续加大研发费用投入，加速推进面向高性能封装的产品研发和 产能布局，开发出更多符合市场需求的产品，进一步拓展市场份额。考虑到 5G/6G 网络在各应用领域的积极部署和研发，2024 年长电科技将继续聚焦在 具备全球领先的射频测试能力的下一代封装技术，实现差异化竞争。在高性 能运算市场，将进一步推广 XDFOI?技术，并投入 3D、存储芯片和光电合封 （CPO）的封装研发。汽车电子领域，公司持续高功率模块、雷达、激光雷达 及高性能 ADAS 芯片的封装和测试研发投入。2024 年上半年，XDFOI? Chiplet 高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段。在高性能计算、 人工智能、5G、汽车电子等领域应用，为客户提供了外型更轻薄、数据传输 速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案，满足日益增长的终端市 场需求。
4、长电科技现金流状况持续提升
长电科技盈利能力不断改善。长电科技毛利率、净利率在 2023 年 Q1 开始均 有所提升，净资产收益率、总资产净利率同比上升。2018 年，公司净资产收 益率、总资产净利率分别为-8.64%、-2.85%，在 2022 年分别提升至 14.16%、 8.45%，2023 年略有下降至 5.80%、3.59%。从季度数据来看，2024 年 Q1 的净资产收益率、总资产净利率都有提升，分别为 0.52%、0.31%，从 23 年 Q1 的同比下降变为同比上升了 0.07pct、0.02pct。2023 年日月光净资产收益率、 总资产净利率分别为 10.52%5.61%、安靠科技分别为 9.41%5.33%、南茂科 技分别为 7.62%4.62%，与可比公司相比长电的盈利能力较弱。
长电科技自由现金流已多年为正，现金流情况良好。公司经营活动产生的现 金流量净额不断上升，经营活动的现金流量一直能超过净利润，即使公司投 资活动增加的情况下，公司的现金流也较为充足。特别是在 2021 年，公司投 资活动净现金流为-63.16 亿元，同时筹集活动也未给公司带来正向现金流的 情况下，因为公司经营活动净现金流大幅提升至 74.29 亿元，当年账面现金 仍能保持正值。2023 年，长电科技全年自由现金流达人民币 13.7 亿元，已 连续四年（2020 年-2023 年）实现正自由现金流。长电科技目前账面现金 106 亿元，2024H1 经营性现金净流入 30.3 亿元，企业自由现金流 11.6 亿元。公 司现金流充裕，内生外延均具备竞争优势。单季度来看，从 2019 第四季度开 始，除了 2023 第三季度，公司自由现金流均为正。且 2023 年第四季度开始， 自由现金流增长率为正，呈增长趋势。
经营能力方面，运营效率大大提升公。司总资产周转率在 2020 年到 2022 年 都维持在 0.8 次以上，2023 年略有下降，为 0.72 次。相较于日月光控股的 0.85 次,长电科技的总资产周转率略低。其中，存货周转率长电科技从 2015 年开始维持在 8-10 次，2023 年为 8.07 次。相较于 2023 年日月光控股的 6.65 次、南茂科技的 5.87 次,长电科技的存货周转率较好。
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精选报告来源：【未来智库】。
