9月11日，德国慕尼黑和奥地利菲拉赫消息，全球功率半导体巨头英飞凌宣布已成功开发出全球首项 300mm 氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌称其是首家在现有的可扩展大规模生产环境中掌握该技术的企业。在奥地利菲拉赫的晶圆厂，该公司利用现有设备整合试产线，成功产出了300mm GaN 晶圆，后续会根据市场需求扩大产能。
全球最大的碳化硅功率半导体晶圆厂已启用
8月8日，英飞凌宣布其位于马来西亚的新晶圆厂一期项目正式投入运营，标志着这座工厂即将成为全球规模最大、竞争力最强的200毫米碳化硅功率半导体晶圆生产基地。
据悉，该项目总投资额高达20亿欧元，专注于碳化硅功率半导体的生产，并涵盖氮化镓外延技术的研发与应用。新晶圆厂一期项目的启动，不仅将直接创造900个高技能就业岗位，更为未来二期项目的扩建奠定了坚实基础。二期项目计划投资50亿欧元，旨在建成全球最先进、最高效的200毫米碳化硅功率半导体晶圆生产线，预计最终将创造超过4000个工作岗位。
与此同时，英飞凌居林工厂第三厂区正在持续扩建，已获得约 50 亿欧元的设计订单，并收到新老客户约 10 亿欧元预付款。这些订单来自不同行业客户，包括汽车行业的 6 家整车厂以及可再生能源和工业领域客户。
此外，英飞凌披露，居林工厂第三厂区与奥地利菲拉赫生产基地紧密相连，后者是全球功率半导体能力中心。英飞凌在 2023 年提高了菲拉赫工厂在碳化硅和氮化镓功率半导体方面的产能。这两座生产基地形成了专注于宽禁带技术的 “虚拟协同工厂”，可共享技术与工艺，实现快速量产与平稳高效运营。
开发全球首款12吋氮化镓晶圆技术
英飞凌已在其位于奥地利菲拉赫（Villach）的功率半导体晶圆厂中，利用现有300mm硅生产设备的整合试产线，成功地生产出300mm GaN晶圆。
英飞凌正通过现有的300mm硅和200mm GaN的成熟产能发挥其优势，同时还将根据市场需求进一步扩大GaN产能。凭借300mm GaN制程技术，英飞凌将推动GaN市场的不断增长。据估计，到2030年末，GaN市场规模将达到数十亿美元。
这一开创性的技术成就彰显了英飞凌在全球功率系统和物联网半导体领域的领导者地位。英飞凌正通过布局300mm GaN技术，打造更具成本效益价值、能够满足客户系统全方位需求的产品，以加强现有解决方案并使新的解决方案和应用领域成为可能。2024年11月，英飞凌将在慕尼黑电子展上向公众展示首批300mm GaN晶圆。
由于GaN和硅的制造工艺十分相似，因此300mm GaN技术的一大优势是可以利用现有的 300mm硅制造设备。英飞凌现有的大批量300mm硅生产线非常适合试产可靠的GaN技术，既加快了实现的速度，又能够有效利用资本。300mm GaN的全规模化生产将有助于实现GaN与硅的成本在同一RDS(on) 级别能够接近，这意味着同级的硅和GaN产品的成本将能够持平。
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