RAM芯片制造商效仿逻辑芯片领域的同行，正在引入EUV光刻技术的使用，但这导致了更高的成本。为了证明这一点，根据SK海力士的代表的说法，内存芯片需要转移到使用垂直布局的晶体管，然后内存的实际成本甚至会降低。
韩国资源The Elec引用了SK海力士负责科学研究的徐在旭（Seo Jae Wook）的相应评论。据他介绍，在存储芯片生产中使用EUV光刻的经典方法，就对成本的影响而言，很难被认为是合理的。另一方面，如果改用垂直布局的晶体管（VG或4F2），与经典的6F2技术相比，存储芯片面积可以减少30%，并且与EUV结合使用，这种布置将降低成本一半。
三星电子也在考虑生产带有“垂直”晶体管的所谓3D DRAM，例如SK海力士，该公司预计将使用标准小于10纳米的工艺。RAM行业不能再仅仅依赖平面晶体管布局，因为在这种情况下，EUV设备的实施变得不必要地昂贵。但是，结合晶体管的新结构，EUV光刻技术的引入可以证明自己的合理性，正如SK海力士的代表所指出的那样。然而，引入新的晶体管布局不仅需要使用新设备，还需要在DRAM芯片的生产中使用新材料。最有可能的是，该技术将在不早于 2027 年的情况下在大规模生产中扎根。在接下来的十年中，三星打算推出多层DRAM内存的发布。
