本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
SK海力士计划从本月下旬开始向全球客户供货。
HBM(High Bandwidth Memory)，直接翻译即是高带宽内存，是一款新型的CPU/GPU内存芯片。自2022年1月诞生以来，HBM3作为最新一代的高带宽内存，凭借其独特的2.5D/3D内存架构，迅速成为高性能计算领域的翘楚。沿袭了前代产品的优秀基因，HBM3同样采用了宽达1024位的数据路径，以6.4 Gb/s的速度飞驰，提供高达819 Gb/s的惊人带宽。
而今，SK海力士将这一标准再度提升，推出了HBM3E。这款新型内存不仅继承了HBM3的所有优点，更将数据速率提升至9.6 Gb/s，为高级AI工作负载提供了前所未有的性能支持。凭借其卓越的带宽、庞大的容量以及紧凑的占用空间，HBM3E正逐步成为现代AI计算中的首选内存解决方案。
SK海力士近日宣布，其最新研发的超高性能AI内存产品HBM3E已开始正式投入量产，并计划从本月下旬开始向全球客户供货。这一重要进展距离去年8月公司宣布开发该产品仅过去了7个月，显示了SK海力士在半导体技术领域的强大实力和高效执行力。
作为首家采用高性能 DRAM 芯片的 HBM3E 供应商，SK 海力士在推出 HBM3 后延续了其成功记录。该公司预计，HBM3E 的成功量产，加上其在提供 HBM3 方面的先锋作用，将巩固其作为 AI 内存领域领导者的地位。
在当今人工智能驱动的环境中，快速数据处理势在必行，半导体封装的组成起着至关重要的作用。全球主要科技公司对 AI 半导体性能的要求越来越高，SK 海力士将其 HBM3E 定位为满足这些不断升级的要求的最佳解决方案。
HBM3E 作为业界最重要的人工智能内存产品，在所有基本参数上都表现出色，包括速度和热量管理。每秒处理数据量高达 1.18TB，相当于一秒钟处理 230 多部全高清电影，树立了效率和性能的新标杆。
此外，考虑到人工智能内存固有的高速运行，有效的热量控制至关重要。SK Hynix 的 HBM3E 得益于先进的 MR-MUF（大规模回流成型底部填充）工艺的集成，其散热性能比其前代产品提高了 10%。
MR-MUF是SK海力士先进技术的一个关键方面，涉及堆叠半导体芯片并在它们之间注入液体保护材料，以增强散热并确保电路保护。与传统方法相比，这种创新方法显著提高了散热效率，有助于 HBM 生态系统内的稳定量产。
SK 海力士 HBM 业务负责人 Sungsoo Ryu 对 HBM3E 量产完成后公司全面的 AI 内存解决方案阵容充满信心。
SK Hynix 的 HBM 容量约为 120K，但容量可能会根据验证进度和客户订单而变化。
TrendForce表示，就目前主流HBM3产品的市场份额而言，SK海力士占据HBM3市场90%以上的份额，预计三星将紧随其后，随着AMD MI300在未来几个季度的逐步发布。
根据TrendForce的数据，三星的HBM总产能预计到年底将达到130K左右（包括TSV）。
HBM应用前景
随着AI大模型、智能驾驶等新技术的兴起，对高带宽内存的需求越来越大。
AI服务器需求将快速增长。AI服务器能够在短时间内处理大量数据，而GPU可以提升数据处理量和传输速率，因此对带宽的要求更高，HBM成为AI服务器的标配。
汽车也是HBM值得关注的应用领域。需要快速传输大量数据以及处理信息的摄像头数量不断增加，HBM具有较大的带宽优势。
AR和VR也是HBM未来的发力点。这些系统需要高分辨率显示器，并且需要更多的带宽来传输数据。同时，实时处理大量数据也需要HBM的强大带宽支持。
此外，智能手机、平板电脑、游戏机和可穿戴设备的需求也在增长，这些设备需要更先进的内存解决方案来满足不断增长的计算需求，因此HBM在这些领域也有望得到增长。此外，5G和物联网等新技术的出现也进一步推动了对HBM的需求。
随着AI和ML技术的蓬勃发展，对数据处理速度的需求日益迫切。SK海力士凭借其创新的HBM3E技术，以前所未有的速度引领着行业潮流，并有望彻底改变AI计算领域的格局。随着这项技术的广泛应用，人工智能的记忆体系将迎来重塑，并推动整个领域发生巨大变革。
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