都以为3纳米是硅基芯片的终点，然后就惊奇的发现，氧化硅材质晶体管的周宽度目前媒体公布的能到达极限的是27nm，目前材料再做小就会出现漏电了，而已知硅原子直径0.117nm，氧原子直径0.148nm，铅、砷、镓、锗原子直径还与氧差不多，二氧化硅材料是构成鳍式晶体管的基础材料，一个完整的鳍式晶体管需要一定数量的氧、硅原子构成才能正常工作，那么其基础尺寸就被固定了，材料原子数太少了就无法正常工作（除非改用其它新的化合物材料），这就是代工厂公布的12nm以下的硅圆晶工艺上差距非常小，代工厂都在相互吹牛，芯片性能、能效还得看arm的核心在电子数据吞吐量上的效率，与软件程序的搭配是否合理高效。
