7月30日，香港科技园公司联合麻省光子技术（MassPhoton）举行香港首条超高真空“第三代半导体氮化镓（GaN）外延片中试线启动礼”。
”第三代半导体氮化镓（GaN）外延片中试线启动礼“现场照片香港特别行政区政府新闻公报
麻省光子创始人兼首席执行官廖翊韬表示，将在香港投资2亿港元（约合人民币1.86亿元），与香港政府资助的香港科技园（HKSTP）合作建立一条8英寸氮化镓外延片中试生产线，这是香港建设的首条下一代半导体材料氮化镓（GaN）晶圆生产线，目标是到2027年实现年产能10000片。
同时，麻省光子将在科学园建立香港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心。
廖翊韬表示，麻省光子的目标是将其氮化镓晶圆应用于显示技术、汽车和数据中心等领域。另外，他们还计划在今年年底前再筹集1亿港元的资金。
香港创新科技及工业局局长孙东在启动礼的致辞中提到，全球半导体产业正急速发展，规模预计在2030年可超过一万亿美元，潜力无限。
在半导体产业兴起的浪潮中，香港起步很早，出现过向万力半导体、晶门科技等芯片企业，而后受到土地资源限制，加上香港后来偏重于发展金融行业，对半导体行业采取了“不干预”政策，使得香港一度错失了半导体产业的良机。
当下，基于氮化镓的第三代半导体芯片产业，对香港来说，是一个实现弯道超车的机会。在相关技术演进和终端厂商的联合推动下，氮化镓的应用场景也在不断扩展，近期国内外厂商纷纷布局相关技术。而氮化镓外延工艺是发展第三代半导体的关键，能够优化产品性能，提升稳定性，为行业带来革命性突破。
处于大湾区核心位置的香港，不仅拥有地理位置优势，还背靠大湾区，有着产业集群和市场化优势，拥有着成为全球半导体供应链和价值链关键枢纽的巨大潜力。
此外，由于美国的出口限制，我国获取芯片制造设备的渠道受到限制，自主发展半导体产业也是时势所趋。
香港立法会于5月批准拨款28.4亿港元，用于政府建立半导体研究中心。香港科技园公司7月26日表示，计划在元朗创新园设立的微电子中心预计将于今年投入运营。
元朗创新园微电子中心香港科技园公司官网
去年10月份，香港科技园公司与微电子企业杰平方半导体（上海）有限公司签署合作备忘录，在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首间碳化硅（SiC）8寸先进垂直整合晶圆厂。杰平方向该项目投资69亿港元，并计划到2028年达到年产240000片晶圆的产能。旨在共同推进香港微电子生态圈及第三代半导体芯片产业的发展。
孙东在7月30日的启动礼上还表示，香港特区政府正以产业导向为原则，积极推进微电子产业发展。香港要因地制宜发展新质生产力，必须发挥好国际化优势和雄厚的科研实力，支持优势科技产业在港发展，而第三代半导体就是香港近年来重点发展的科技领域。
孙东表示，麻省光子技术落户香港也将助力香港壮大创科人才库。廖翊韬带领的团队由世界各地的专家组成，除了为香港带来全球领先的前沿技术之外，更能汇聚环球微电子专业人才，促进技术交流。这也正好回应了三中全会提到支持香港打造国际高端人才集聚高地。
就在上周，廖翊韬表示：“我们对第三代半导体供应链的一致性充满信心。”他还补充说，“许多大陆碳化硅公司已经在全球处于行业领先地位。”
