据最新爆料，苹果（Apple）将为 iPhone 采用四层单元（QLC）存储技术，主要是为了能够实现 2TB 的 iPhone 超大内存容量而准备。
苹果即将在今年 9 月秋季发布 iPhone 16 系列，从去年开始就已经有消息传出将会为 iPhone 引入 2TB 内存容量和 QLC 存储技术，预计苹果将在 2026 年为 iPhone 搭载 QLC 高密度的存储技术，不过先前从供应链得知，苹果正考虑在 iPhone 16和 iPhone16plus 的 1TB 型号中率先使用 QLC 技术，这项技术最终可能会用于 1TB 和 2TB 的存储容量。
QLC 的全称 Quad-level cells（四层单元），每个单元可储存 4bit 数据，跟 TLC（三层单元） 相比，QLC 的储存密度提高了 33%，QLC NAND 的耐久度最低，通常 P / E Cycle（Program Erase Cycle）在 100 到 1000 之间，能在相同物理空间内实现更大容量，另外 QLC 成本也会低于 TLC，能够有利于降低生产零件成本，但是 QLC 最大缺点是读写速度可能较 TLC 更慢，这是苹果需要克服的技术挑战。
分析人士认为，如果苹果成功导入 QLC 技术，将为 iPhone 带来更大存储空间和更具竞争力的价格，有助于满足用户日益增长的存储需求，最大问题要如何平衡更大容量与读写速度之间的关系，将是苹果目前所面临的一大技术挑战。
专业词汇解析
QLC (Quad-level cells)：四层单元存储技术，每个存储单元可以存储4bit数据。
TLC (Triple-level cells)：三层单元存储技术，每个存储单元可以存储3bit数据。
P/E Cycle (Program Erase Cycle)：擦写循环，指NAND闪存可以进行编程和擦除的次数。
NAND闪存：一种非易失性存储技术，广泛用于固态硬盘、USB闪存盘和其他形式的存储介质中。
耐用性：指存储设备能够在不损坏数据的情况下进行读写操作的次数。
