近日，武汉大学周圣军教授领导的研究团队取得了一项重要突破，他们成功研发出了一种创新的肖特基接触本征电流阻挡层（SCBL）技术，这一技术显著优化了AlGaInP红光Mini LED的性能，特别是在电流扩散和光提取效率（LEE）方面展现出巨大潜力。
研究团队通过巧妙结合氧化铟锡（ITO）与p-GaP之间的肖特基接触特性，以及ITO与p-GaP+之间的欧姆接触特性，构建出了SCBL结构。这一设计不仅有效缓解了传统Mini LED中p电极周围常见的电流拥挤问题，还极大地促进了电流在有源区内的均匀扩散，从而提升了光子的利用效率。
（图示说明：图(a)展示了新型Mini LED的器件结构，图(b)详细描绘了基于AlGaInP材料并集成SCBL的红光垂直结构Mini LED的制造流程。图(c)为SCBL的特写，而图(d)则是该Mini LED顶视图的光学显微镜图像，直观展示了其结构特征。）
周圣军教授指出，SCBL的应用显著改善了Mini LED的发光特性。由于电流分布更加均匀，以及光提取效率的大幅提升，带有SCBL的AlGaInP红光Mini LED展现出了更为均匀的发光强度分布、更高的光输出功率以及显著提升的外部量子效率（EQE）。具体而言，在20mA的工作电流下，相比未采用SCBL的同类器件，其EQE增幅达到了惊人的31.8%。
AlGaInP红光Mini LED因其卓越的亮度、低能耗及长寿命特性，在全彩显示器等领域扮演着关键角色。然而，传统设计中p电极附近的电流拥挤及光提取效率低的问题一直是制约其性能进一步提升的瓶颈。周圣军团队的创新成果，为解决这些问题提供了切实可行的方案。
展望未来，SCBL技术的引入有望推动AlGaInP基红光Mini LED的量产进程，进一步提升其在显示技术、照明领域的应用价值，为科技进步和产业升级注入新的活力。
