众所周知，美国非常怕中国芯片产业突破，所以设定了一个打压目标，那就是锁死逻辑芯片在14nm，DRAM芯片在18nm，NAND闪存在128层。
不过大家也都清楚，这个目标，我们实际上已经突破了，逻辑芯片早突破了14nm，具体是多少，没有公开，但麒麟9000S、麒麟9010是多少纳米的，大家自己心里清楚就好。
至于DRAM芯片多少纳米工艺了，不清楚。但NAND闪存，我们早就突破了232层，现在也没对外公开。
一定程度上而言，对压我们的影响并不是那么的大了。
不过说实话，真正要让美国的芯片禁令成废纸，那还是需要我们的逻辑芯片工艺，达到5nm才行，达到这个水平，那禁令就真的没有任何意义了。
从数据来看，目前全球的芯片中，75%以上是28nm及以上的成熟芯片，而5nm以下的芯片只到不到2%左右。
从行业来看，也就是手机Soc、电脑CPU，以及GPU方面，用到了5nm以下的工艺。几乎98%甚至更多的芯片，是采用5nm及以上的工艺制造的，这部分芯片才是撑起整个芯片产业市场的中坚力量。
所以说如果我们搞定5nm，那么全球97%的芯片都能制造了，还担心什么？那么3%的芯片，虽然重要，却不是一定要造。
因为，虽然4nm、3nm、2nm等芯片也一样重要，但是如果通过封装技术的改进，增加芯片面积，甚至采用小芯片技术、堆叠等技术后，5nm芯片也一样能够实现3nm、2nm的性能。
那么问题来了，我们能制造5nm的芯片么？之前华为常务董事张平安，公开发言称，我们肯定是得不到3nm，肯定得不到5nm，我们能解决7nm就非常非常好。
在很多人的认知里，没有EUV光刻机，造不了5nm芯片，事实上利用浸润式DUV光刻机，造5nm芯片也是可以的，浸润式光刻机之父林本坚博士曾这么说过。
但是用DUV光刻机来造5nm芯片，需在非常多次的曝光技术，良率会非常低，成本会非常高，就算造出来，成本高到无法商用，所以用DUV肯定不现实的，还是要另想它法，一旦想出这个办法，那么禁令可能就名存实亡了，所以国产芯片厂商们加油吧。
