阿斯麦最新最先进的EUV光刻机来了！
这款光刻机将制造工艺推向了2nm以下，价格更是达到了惊人的3.5亿欧元，约合人民币27亿元。
与上一代相比，价格直接翻倍，这也难怪连台积电都嫌贵。
不过，放眼全球，除了阿斯麦以外，没有其他能打的选手。
因此，尽管台积电发发牢骚，但该买还是要买。
毕竟，他们的竞争对手英特尔可是一口气定了好多台。
阿斯麦最新光刻机
众所皆知，阿斯麦作为全球光刻机巨头，在半导体行业完全垄断了上游产业，尤其在EUV光刻机领域，更是独领风骚。
如果说，光刻机是人类半导体工业皇冠上的明珠，那么阿斯麦就相当于握着最亮明珠的那个厂商。
为了将制程工艺进一步的压榨到极限，阿斯麦耗时10年之久，最终研制出来一款High NA EUV光刻机。
在2023年底，阿斯麦已经开始向英特尔交付了首套High NA EUV光刻机，英特尔也于近期完成了组装。
其重达150吨，相当于两架空客 A320 客机的重量。
光是运输，就需要动用250个单独的板条箱，40个货柜、20辆卡车以及3架波音飞机才能运完。
相较之前版本的光刻机，High NA EUV最大的改变在于增大了数值孔径。
所谓数值孔径NA，指的是用来衡量光学系统能够收集光的角度范围的参数。
通过增大这个值，便可以实现更小的分辨率和更高的分辨能力，从而满足微细加工的要求。
据悉，High NA EUV的NA值，从之前标准EUV光刻机的0.33提升到了0.55。
这一改变，使得镜头的分辨率，也从之前的13纳米，一下子提升到了8纳米。
更高的NA值，意味着更复杂的光学路径设计，和更大的光学元件，也就是反射镜。
但反射镜大了，光线入射穿透的掩膜版的尺寸也要增大。
这对于下游厂商来说，无疑会带来更加复杂的工艺问题。
因此，专门设计EUV光刻机镜头的蔡司，决定另辟蹊径。
下游厂商可以不用动，我这边来解决。
于是骚操作来了，蔡司提出了变形光学的设计思路，之前反射系统是均匀的压缩图案，现在变成了不均匀。
简单来说，一个方向缩小4倍，另一个与它垂直的方向来缩小8倍，这样能够在不裁切的情况下，获得最多的细节。
听起来好像很简单，但实现出来却是非常复杂的。
不仅需要重新设计反射镜的形状和排列，以确保在不同方向上实现不同的缩放比。
这需要采用新的制造工艺和材料，以保证反射镜保持高精度和高反射率。
另一边，一般来说，工艺节点超越5nm，低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光或曝光成形技术来辅助。
然而，这不但大大增加成本，还会降低良品率。
但用了更高数值孔径的High NA EUV光刻机，则不一样。
虽然价格贵了不少，但可以降低多重曝光带来的成本，生产效率和良品率也变得更高。
从设备生产效率的路线图来看，虽然目前的生产速度仅每小时150片晶圆，但随着技术的进一步优化，产能将会提高到每小时300片晶圆。
同时，0.55NA的High NA EUV光刻机，目前支持2nm量产，到2029年可以支持1nm的量产。
如果采用多重曝光，未来5埃米（也就是0.5nm）制程的量产，也是没问题的。
这些优势对芯片制造厂商来说，无疑是非常诱人的。
正因如此，阿斯麦首席执行官 Peter Wennink 在接受采访时表示，“人工智能需要大量计算能力和数据存储。如果没有阿斯麦的技术，这是不可能实现的。”
这番话，进一步凸显了High NA EUV光刻机在推动未来科技进步中的关键角色。
如果大家以为High NA EUV光刻机，应该就是阿斯麦的压轴菜，那还是低估了它的水平。
据悉，更厉害的Hyper-NA EUV光刻机，正在加紧研发。
根据EETimes报道，阿斯麦近期公布了还处于开发早期阶段的Hyper NA EUV光刻机的技术蓝图，预计最快将会在2030年推出。
据说，其数值孔径（NA），从0.55进一步提高到0.75，以便实现更高分辨率的图案化及更小的晶体管特征。
但从目前来说，阿斯麦的High NA EUV光刻机，依然是全世界最先进的光刻机，没有之一。
结尾
总的来说，阿斯麦High NA EUV光刻机的问世，标志着半导体制造技术进入了一个新的时代，使得2nm以下的制程工艺成为可能。
这一突破不仅大大提升了芯片的性能和集成度，也为未来的科技创新提供了坚实的基础。
阿斯麦能够做到行业龙头位置，确实十分的先进。
