外网近日传出消息，尽管今年的骁龙8 Gen4还未与我们见面，但关于其继任者骁龙8 Gen5的传闻已悄然兴起，尤其是其制造工艺方面的重磅爆料。众所周知，高通目前的旗舰级芯片，包括即将在10月亮相的骁龙8 Gen4，均采用了台积电的3nm工艺，这无疑是对过去使用三星工艺所遇困境的一种回应。
然而，故事将在明年的骁龙8 Gen5芯片上迎来新的转折。据传，高通可能会采取一种多晶圆厂策略。具体来说，常规的骁龙8 Gen5芯片将继续沿用台积电的N3E工艺，而那个在近两年为三星旗舰所独有的、专为Galaxy打造的高频版芯片，则将转向三星自家的SF2P工艺。这也意味着，三星S26系列所搭载的芯片将全部采用自家工艺制造。
更值得一提的是，采用三星SF2P工艺的骁龙8 Gen5 For Galaxy，在性能提升上可能远超N3E版本的骁龙8 Gen5。据称，该工艺在相同的频率和复杂度下，与SF3相比能够提升25%的功耗效率，同时在相同的功耗与复杂度下提升12%的性能。此外，三星还为这一工艺准备了更为先进的IP组合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6等，无疑为其增添了更多的竞争力。
作为SF2工艺的升级版，SF2P自然也被寄予厚望，有望为骁龙8 Gen5 For Galaxy芯片带来更为卓越的性能提升。当然，前提是三星的先进工艺在功耗方面不再出现问题。若真如此，只要三星的先进工艺在功耗上不翻车的话，那么骁龙8 Gen5 For Galaxy芯片还是有着不错的看点，期待明年新处理器的具体变化。
