近日，来自奥地利维也纳工业大学的研究团队开发出了一种新型晶体管技术——可重构场效应晶体管（RFET），该技术可用于构建具有可随时编程功能的电路。
传统的晶体管制造过程中需要进行“化学掺杂”，即将杂质引入半导体中以改变其电气属性。而RFET则采用静电掺杂取代了化学掺杂的方式，这是一种不会永久改变半导体材料化学结构的新方法。通过这种替代，晶体管可以在动态下重新配置，从而执行不同的逻辑运算。
研究人员表示，RFET是电子电路和芯片设计领域的一项重大突破。与传统半导体工业使用硅和锗两种材料不同，RFET可以显著改善功耗和能效。
最近的研究报告展示了RFET可以用于生产逆变器、NAND/NOR和XOR/XNOR门等设备，在运行时能够动态切换工作模式。因此，未来我们有望看到更多适应性互补和组合逻辑的应用出现。
