据消息，为了在高端AI芯片竞赛中急追猛赶，三星存储芯片紧急踩刹车，准备使用SK海力士所领导的高端芯片封装工艺技术。生成式AI对高带宽内存(HBM)芯片的需求激增，但当SK海力士、美光科技被曝拿下英伟达高额订单时，三星却意外在交易中缺席。
AI存储器，三星想逆袭
AI存储器HBM（高带宽内存）是通过将DRAM的芯片堆叠起来提高性能的半导体。据悉SK掌握5份额，三星电子占4成、美光科技占1成。3家企业展开投资竞争，三星提出了在2～3年内成为业界第一的目标……
驱动生成式AI必不可少的尖端存储器的投资竞争日益白热化。三星电子日前宣布，将抢在其他公司之前推进量产最尖端产品。此外，美国美光科技也将自2025年起在日本广岛工厂（广岛县东广岛市）开始量产新一代产品。紧跟领先的韩国SK海力士，争取AI需求。
“用于生成式AI的需求正在扩大”。三星2024年1～3月各项业务的财报显示，半导体部门的营业损益为盈利1.91万亿韩元（上年同期亏损4.58万亿韩元）。时隔4个季度扭亏为盈。
在财报说明会上，不仅是业绩本身，提问还集中于被称为“高带宽内存（HBM）”的新一代存储器的投资战略。
副社长金在骏表示，计划在2024年把HBM的供应能力提高到前一年的3倍以上，到2025年提高到2024年的2倍以上，强调称“将提高市场领导力”。其解释称已经准备好抢在其他公司之前，自2024年4～6月开始量产与目前主流的HBM相比领先的产品。
三星2024年3月还提出了投资20万亿韩元，建立以HBM为中心的半导体研发基地，并在2～3年内成为业界第一的目标。
生成式AI不仅需要承担复杂数据处理的图形处理器（GPU），还需要临时存储庞大运算结果的DRAM。AI存储器HBM是通过将DRAM的芯片堆叠起来提高性能的半导体，可以高速存储或传输大量数据。
计划改用对手SK海力士的技术
据媒体报道，有多名知情人士透露，随着芯片制造竞赛的升级，三星电子计划采用竞争对手SK海力士的技术。
目前市场对于HBM（高带宽存储）芯片的需求越来越大，然而与竞争对手SK海力士和美光相比，三星却失去了英伟达的大单。
分析人士普遍认为，三星之所以丢掉大单，很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜（NCF）芯片工艺；而SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）工艺，则有效解决了NCF技术的弊端。
分析师认为，三星HBM3芯片的良率表现并不理想，仅维持在10-20%的水平；相比之下，其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。
无奈之下，三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺，而非此前坚持的NCF技术。
知情人士称，三星最近已发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单，还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜。
但尽管如此，由于需要进行更多的测试和优化，三星使用这一技术的芯片最早要到明年才能实现量产。
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