6月1日，韩国媒体《Newsis》发表文章称，中国已经开始生产高带宽存储器（HBM），并正在将其影响力从传统半导体扩展到先进的人工智能（AI）半导体市场。虽然在尖端存储器领域与韩国企业差距较大，但由于大规模投资的存在，追赶速度可能比预期的要快，因此韩国有必要提高警惕。
据悉，中国存储器企业长鑫存储器科技与半导体封装企业通富微电子共同开发了HBM样品，并于近期提供给客户。
另一家中国半导体企业武汉新芯也在建设工厂，每月最多可生产3000片12英寸HBM晶圆。
据了解，中国半导体企业还定期与韩国和日本设备公司联系，以确保HBM开发的设备。
据分析，中国开始进军HBM，是因为随着AI产业的发展，必须自主供应面向AI的尖端半导体。此外，随着美国政府对中国半导体的制裁力度不断加大，自救措施也需要出台。
中国已经主导了传统半导体市场。预计中国在传统半导体的全球占有率将从去年的29%增加到2027年的33%。半导体工厂数量也将增加到77家，另外还有18家半导体工厂也将投入运营。
中国正以大规模资本和生产设施等为主导，攻占传统市场，因此不能排除以类似模式控制尖端半导体市场的可能性。
不过，三星电子、SK海力士等韩国企业与中国企业的HBM技术差距估计相差10年左右。
中国华为计划在2026年前与其他本国企业一起生产第二代产品“HBM2”。由于技术的限制，从HBM早期模型的开发开始。White Oak Capital投资总监Nori Chiu表示：“中国企业在HBM方面比竞争企业落后10年左右。”
三星电子和SK海力士在2016年已经成功开发了HBM2。两家公司已经进入第五代“HBM3E”量产阶段，预计将在2025年-2026年量产第六代“HBM4”。
中国企业目前正专注于研发HBM2，因此可能还需要数年时间才能研发出第三代“HBM2E”。这对韩国企业来说，并不构成太大的威胁。
但是，中国在此期间以智能手机和显示器等大规模资本和坚实的内需市场为基础，比市场预期更快地提高了技术能力，因此也有人表示，应该警惕中国进入HBM市场。
韩国业界相关人士表示：“随着AI市场的急剧扩大，加上与美国的竞争也在加剧，中国也将积极攻占HBM市场。韩国企业应该关注这一点，保持至少10年以上的技术差距。”
