在近期举行的imec ITF世界2024年会议上，全球领先的光刻设备制造商ASML宣布，其首台高数值孔径（High-NA）极紫外光刻（EUV）机器创下了新的芯片制造密度记录。前总裁兼首席技术官Martin van den Brink在会议上透露，这台机器已经实现了8纳米密度线的打印，超过了两个月前创造的记录。这一突破标志着ASML在先进芯片制造技术上的重大进展。
Van den Brink还提出了开发Hyper-NA芯片制造工具的设想，旨在进一步提升芯片制造能力，并分享了一条潜在的技术路线图。他还介绍了一项旨在降低EUV芯片制造成本的计划，该计划将显著提高ASML未来工具的速度，目标是达到每小时400至500片晶圆（wph），这是目前峰值的两倍多。此外，他还提出了一个模块化统一设计的EUV工具系列，预计将为未来的芯片制造带来更多灵活性和效率。
据Van den Brink介绍，经过进一步调整，ASML的高NA EUV机器已经在生产环境中成功打印出了8纳米密度线。这一成绩打破了该公司在今年4月初创下的10纳米记录。当时，ASML位于荷兰维尔德霍芬总部与imec联合实验室中的高NA机器首次实现了这一突破。
ASML的标准NA EUV机器目前可以打印13.5纳米的关键尺寸（CD），而新推出的High-NA EXE:5200 EUV工具则可以打印8纳米特征，从而创建更小的晶体管。这证明了ASML的设备可以满足甚至超越其设计规格。
Van den Brink表示：“我们已经取得了显著进展，目前能够在整个视野内显示低至8纳米的记录成像，尽管还存在一些改进空间。这一成就展示了我们的进步，也增强了我们对未来进一步突破的信心。”他还强调，这一里程碑代表了ASML十多年的研发努力和数十亿欧元的投资，尽管仍有大量工作要做以优化系统并为大规模生产做好准备。
与此同时，英特尔作为唯一一家已知全面组装了High-NA系统的芯片制造商，正紧随ASML的步伐，在其位于俄勒冈州的D1X工厂投产自己的高NA机器。英特尔计划首先将其EXE:5200 High-NA机器用于研发，随后应用于14A节点的生产。
此外，Van den Brink再次提出了开发Hyper-NA EUV机器的构想。虽然尚未对这一机器做出最终决定，但ASML正在评估行业对这一新工具的兴趣，未来是否实现仍需时间验证。
目前，标准EUV机器使用13.5纳米波长的光和0.33数值孔径（NA），而新的高NA机器在相同波长下使用0.55 NA来打印更小的特征。Van den Brink提出的Hyper-NA系统将进一步扩大NA至0.75，以实现更小的特征打印。虽然尚未确定具体的关键尺寸，但ASML的晶体管时间表显示，其技术可以扩展到10纳米以下的节点。
ASML的持续创新和技术突破不仅巩固了其在全球芯片制造领域的领先地位，也为未来芯片技术的发展指明了方向。随着Hyper-NA工具和新的EUV速度提升计划的推进，芯片制造将迎来更加高效和精细化的新时代。
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