在2021年的一次讲话中，ASML的首席执行官曾预见到，如果中国无法从外部获得先进的光刻机，那么中国可能在三年内自行研发出相应技术。同样，中国经济学家林毅夫亦预测，最迟到2023年，中国将有能力生产出自己的极紫外（EUV）光刻机。这将对ASML的市场地位构成威胁，可能迫使该公司重新考虑其战略布局。
在回顾这些预测的现在，我们可以看到中国在光刻技术上的进步。例如，华为的Mate 60手机采用了7纳米工艺，而其Pure70系列接近5纳米工艺，接下来的Mate 70有望实现3纳米工艺。这些进展表明，尽管具体的代工厂商未公开，华为的技术进步依然显著。
目前全球只有ASML能够生产用于10纳米及以下先进制程的EUV光刻机。面对严峻的外部挑战，尤其是在美国的出口限制下，中国加紧了自主光刻技术的研发。例如，上海微电子已经能够量产90纳米级别的光刻机，并正在开发14纳米乃至7纳米工艺。尽管与ASML的先进技术存在差距，上海微电子的进展标志着中国在满足国内需求方面取得了重要进步。
从市场份额来看，ASML、日本尼康和佳能等公司主导了全球高端光刻机市场。ASML占据了63%的市场份额，佳能占32%，而尼康则占5%。相比之下，上海微电子在全球市场的份额较小，但这并未阻止其在技术上追赶。
光刻机的生产不仅是技术挑战，也涉及到复杂的全球供应链。例如，ASML的光刻机90%以上的部件需要国际采购，涉及德国的光学元件、瑞典的精密机床和美国的电力系统等。这种全球化的供应链体现了光刻机技术的复杂性和全球合作的必要性。
尽管面对众多挑战，中国在半导体和光刻机领域的发展并未停滞。从成功研制原子弹到制造航空母舰和大型客机，中国历史上在技术领域的自主进步凸显了其长期以来的坚持和创新。光刻机技术的发展也必将持续，中国有望在未来走在技术前沿，逐步缩小与国际领先水平的差距。
面对全球高端光刻机市场的竞争和技术封锁，中国不仅在自主研发上加速步伐，还在整个半导体产业链的自主化上作出战略部署。中国政府和相关企业投入巨资，旨在突破关键核心技术，减少对外依赖，特别是在光刻机这一核心设备的研发和制造上。
从政策支持到资金投入，再到人才培养，中国正全面推动半导体产业的发展。例如，多个地方政府已设立专项基金，用于支持半导体项目，同时，顶尖高校和研究机构也增加了对半导体相关领域的研究力度，培养更多专业人才。
在产业协同方面，中国正努力构建一个更加完整的半导体产业链。不仅是光刻机，从材料、设备到芯片设计和封装测试，各环节的企业都在加强合作，推动技术进步和产业升级。例如，国内材料公司通过与芯片制造企业的紧密合作，逐步提高了材料的质量和产量，降低了成本。
此外，国际合作也在逐步展开。虽然面临技术限制和政治压力，中国企业和研究机构仍在寻求与国外科技公司和研究中心的合作机会，以获取新的技术和市场信息。这种跨国合作不仅有助于中国技术的进步，也促进了全球半导体产业的健康发展。
随着技术的逐渐成熟和产业链的完善，中国在全球光刻机市场的影响力预计将持续增强。国产光刻机技术的提升将使中国能在更多高技术领域与国际竞争对手抗衡，进一步推动国内外市场的拓展。
综上所述，虽然中国在高端光刻机领域起步较晚，但通过持续的技术研发、产业协同以及国际合作，中国正逐步缩小与国际领先水平的差距，展现出强大的发展潜力和市场竞争力。未来，随着技术突破和产业升级，中国有望在全球半导体产业中占据更为重要的地位。
