众所周知，光刻机是当前国产所有半导体设备中，相对最落后的一种。而光刻机又是芯片制造中，必不可少的一种，同时也是美国限制我们的一种。
所以在当前情况之下，能不能从国外买到先进光刻机，成为了国内芯片制造技术能不能突破的关键之一了。
比如芯片工艺要进入40nm必然使用浸润式DUV光刻机（ArFi），但这种浸润式DUV最多也就使用至7nm，而进入7nm以下，必须使用EUV光刻机……
如下图所示，ASML的光刻机型号，是对应一代又一代芯片工艺的，理论上来讲，上一代的光刻机，很难撑起一下代芯片技术。
这也是ASML营收的根本，不断推出新光刻机，推动芯片工艺前进。
不过大家也都清楚，目前我们买不到EUV光刻机，国内所拥有的只有波长为193nm的ArFi光刻机，也就是浸润式DUV光刻机。
按照ASML的说法，这种光刻机，最多也就支持到7nm，且制造7nm芯片时，还要经过多重曝光才行，导致成本上升，良率下降。
那么没有EUV光刻机，是不是意味着我们的芯片工艺，就只能锁死在7nm，再也无法前进了么？
而近日，有国外的半导体科研人员表示，193nm的浸润式DUV光刻机，其极限绝不只是7nm，在通过多重曝光之后，是可以实现5nm工艺的。
并且经过实验室验证，193nm的浸润式光刻机，利用多重曝光技术，通过多次叠加和叠加修正，甚至能够超越5nm的芯片工艺。
因为现在的芯片工艺并不是与栅极宽度是对应的，更多的是一种等效工艺，故这种光刻机是完全可以实现的，当然相比于利用EUV光刻机，确实步骤复杂一些，成本也会高一点，良率相应的也降低一些。
但是，在没有EUV光刻机的前提之下，利用这种193nm的浸润式DUV，确实是可以生产5nm的芯片出来的。
不过，虽然技术是这样，但我认为，我们没有必要强上5nm而5nm，就只制造7nm也蛮好的，因为7nm和5nm相比，性能并不会有实际性的大提升，7nm也够用的情况下，强行上马5nm并无商业意义，你觉得呢？
当然，最终还是希望国产EUV光刻机早点推出，这才是解决问题的关键，一旦我们拥有了EUV光刻机，一切禁令都成为废纸，这才是真正的终极破局之法。
