多年前，智能手机行业曾出现过一起知名的“闪存门”事件。某品牌在当时最新的旗舰机中混用eMMC和UFS闪存被“抓包”后，品牌方一度声称只要系统优化得当，两种闪存之间的性能差距便不会那么明显。
很显然，这样的说辞并没有被当时的消费者普遍接受。所以在后来的一段时间里，手机的闪存测速软件曾一度成为各应用商店“严防死守”的对象，甚至于在部分品牌的手机上，就连安装这类App都会出现警告和阻拦。
不过当时间来到现在，智能手机上的闪存测速显然已经不再被人为限制了。但这是否就意味着手机厂商已然“改过自新”，在闪存品质这个问题上能够完全让人放心了呢？或许也并不见得。
比如在这两款今年发布的新机闪存测速结果中，虽然它们都使用了相同版本的测速软件，而且测速此前手机都没怎么使用过，也就是说基本可以排除闪存因为长期使用造成“磨损”偏差。但即便如此，很明显两台机型出现了显著的闪存速度差异。那么这是为什么呢，是因为不同平台之间的性能差异导致的吗？
其实是有一定这种可能性的，毕竟现在智能手机上的这些UFS闪存，在原理上都比较接近PC的NVMe硬盘。也就是说，更高的CPU性能确实就会带来更高的4K随机读写速度。
更不要说在部分SoC中，甚至还具备针对UFS闪存的额外优化，本身就能发挥出更高队列深度的并发读写性能，因此在搭载这些SoC的机型上出现更高的闪存速度自然也就不令人感到意外了。
除了SoC的技术、性能差异所带来的闪存“拉动”效应的差异之外，要说当下手机闪存本身是不是本就存在着质量优劣的区别，答案其实也是肯定的。
毕竟大家都知道，目前的主流闪存在结构上基本可以分为SLC、MLC、TLC和QLC四大类。越往前延迟越低、性能越高，但也越难做出大容量，而且成本更是会显著呈几何倍数增长。而越靠后的类型则容量越大、价格越便宜，但性能和可靠性也就会出现相应的显著衰减。
对于消费级市场来说，MLC由于性能和成本都不拔尖，所以早已退场。除了极少数低延迟特化的SSD（比如三星983ZET、海力士D7-5810）还在使用SLC之外，目前的情况基本上就是TLC占据了从旗舰到高端市场，QLC则代表绝大多数主流产品的品质。
正因如此，在智能手机上，TLC和QLC闪存自然也就会分别被应用在不同价位段、不同性能定位的机型中。所以它们当然就会表现出不同的，甚至可以说是差距极大的性能表现。
即便都是UFS4.0，同样也有高低快慢之分
特别是对于一些价格低廉，但容量又极大的机型来说，指望它们能配备很好的旗舰SoC、或者是使用品质很高的（非QLC级别）闪存，基本都是不太现实的。那么对于这些机型来说，它们的闪存速度比其他机型更慢，自然也就在“性价比”的合理范畴内了。
顺带一提，如今智能手机中的闪存其实基本都是带有模拟SLC缓存机制的，所以前文所述的这些“闪存性能”，实际上都还是只是考虑到了SoC性能和闪存体质差异之后的“缓内性能”。如果手机用得久了，闪存剩余容量太少、碎片太多，那么缓存机制就可能会失效。此时才会暴露出真正的、基于闪存颗粒体质的纯粹“缓外性能”。而不同配置和闪存体质的差异，此时才将变得更加明显。
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