本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
HBM头号大厂的产能被抢空了。
昨天，SK海力士在韩国京畿道利川总部举行了以“AI时代，SK海力士蓝图和战略”为主题的国内外记者招待会，并公布了面向AI的存储器技术力、市场现状，以及韩国清州/龙仁/美国等未来主要生产据点相关的投资计划。
在龙仁半导体集群首座工厂竣工（2027年5月）三年前举行的此次活动，由SK海力士CEO郭鲁正、社长金柱善、副社长金钟焕（DRAM开发担当）、副社长安炫（N-S Committee担当）、副社长金永式（制造和技术担当）、副社长崔宇镇（P&T担当）、副社长柳炳薰（未来战略担当）、副社长金祐贤（CFO）等主要经营层出席了会议。
郭鲁正表示，虽然目前的人工智能是以数据中心为主，但今后有望迅速扩散到智能手机、PC、汽车等端侧AI（On-Device AI）。因此，专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增。SK海力今后将通过与全球合作伙伴的战略合作，提供为客户量身定做的全球顶级存储器解决方案，目前，该公司的HBM生产方面，今年已经全部售罄，明年也基本售罄。从HBM技术方面来看，预计在今年5月提供高性能的12层堆叠HBM3E产品的样品，并准备在第三季度开始量产。
金柱善表示，进人工智能时代后，全球产生的数据总量预计将从2014年的15ZB（Zetabyte，泽字节）增长到2030年的660ZB。面向AI的存储器收入比重也将大幅增加。HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储器市场的占比约为5%(金额)，预计到2028年可以达到61%。SK海力士已在多种AI应用领域确保技术领导力：DRAM方面，正在量产HBM3E和256GB以上的超高容量模块，世界最高速度的LPDDR5T也已实现商用；NAND方面，也在业界唯一提供基于QLC的60TB以上SSD产品等。
该公司还在开发进一步改进现有产品的新一代产品。不仅是HBM4和HBM4E、LPDDR6、300TB SSD，同时还在准备CXL Pooled（池化）存储解决方案、PIM(Processing-In-Memory)*等创新的存储器。
崔宇镇表示，SK海力士拥有的HBM核心封装技术之一就是MR-MUF技术。虽然也有MR-MUF技术在高层堆叠方面可能会存在瓶颈的意见，但该公司已经在使用先进MR-MUF技术量产12层堆叠HBM3产品。MR-MUF技术与过去的工艺相比，将芯片堆叠压力降低至6%的程度，也缩短工序时间，并将生产效率提高至4倍，散热率提高了45%
该公司最近引进的先进MR-MUF技术在维持MR-MUF优点的同时，采用新的保护材料，得以散热性能改善10%。MR-MUF技术在芯片弯曲现象控制（Warpage control）方面也采用高温/低压方式，是最为适合于高层堆叠的解决方案，为实现16层堆叠的技术开发也在顺利进展
该公司计划在HBM4也采用先进MR-MUF技术，从而实现16层堆叠，正在积极研究混合键合（Hybrid bonding）技术。
该公司在上个月确定在美国印第安纳州西拉斐特建设面向AI的存储器先进封装生产基地，印第安纳工厂将从2028年下半年开始量产新一代HBM等面向AI的存储器产品。SK海力士将在该地区推进客户合作和加强AI领域竞争力，同时也将通过与周边大学及研究开发中心的研发合作培养半导体人才。
金永式表示，为了应对面向AI的存储器需求剧增，在龙仁半导体集群第一座工厂投产前需要扩大生产能力，决定在已经确保用地的清州建设M15x。M15x是一座双层晶圆厂，总面积达6万3000坪。其将具备包括EUV在内的一站式HBM生产工艺，与正在扩大TSV工艺生产能力的M15相邻，可最大程度地提高HBM生产效率。公司在4月开始M15x工厂的建设工程，计划在明年11月竣工后，从2026年第三季度正式投入量产。
龙仁半导体集群占地面积达415万m2。SK海力士计划依次建造4座工厂，国内外原材料、零部件和设备企业将入驻合作园区与SK海力士协力发展半导体生态系统。集群用地建设进展顺利，SK海力士的首座工厂将入驻的第一阶段用地建设工程进展率约为42%，正在顺利进行中。龙仁集群内SK海力士第一座工厂将于2025年3月开工，预计在2027年5月竣工。同时，集群将投入约9000亿韩元，建设迷你工厂，迷你工厂与实际量产环境相似，原材料、零部件和设备企业可以在此进行试制品验证，将会得到提高技术完成度的最佳解决方案。
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