三星电子今（23）日宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已开始量产，巩固了其在NAND闪存市场的地位。
三星电子存储业务产品和技术主管SungHoi Hur表示：“我们很高兴能够推出业界首款第9代V-NAND，它将带来未来应用的飞跃，为满足NAND闪存解决方案不断变化的需求，三星突破了下一代产品的单元结构和操作方案的界限。通过最新的V-NAND，三星将继续引领高性能、高密度SSD市场趋势，满足下一代人工智能的需求。”
凭借业界最小的单元尺寸和最薄的模组，三星将第9代V-NAND的位密度相比第8代V-NAND提高了约50%。避免单元干扰和延长单元寿命等创新技术已应用于提高产品质量和可靠性，同时消除虚拟通道孔也显著减小了存储单元的平面面积。
此外，三星先进的“通道蚀刻”技术展示了该公司在工艺能力方面的领先地位。该技术通过堆叠模具层创建电子通道，并最大限度地提高制造生产率，因为它能够在双层结构中同时钻孔最高的单元层数。随着单元层数的增加，穿透更多单元的能力变得至关重要。
第9代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，支持将数据输入/输出速度提高33%，达到3.2Gbps。除了这个新接口外，三星还计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能SSD市场的地位。与上一代相比，通过低功耗设计的进步，功耗也降低了10%。
三星已于本月开始量产1Tb TLC第9代V-NAND，随后将于今年下半年量产QLC型号。
