美国政府宣布将为三星电子提供高达64亿美元芯片补贴，以扩大得克萨斯州的芯片生产。三星电子的项目将包括增加一座晶圆代工制造基地、一座研发基地，以及位于得州泰勒市的一座先进芯片封装工厂。
美国向三星电子提供64亿美元补贴
美国政府宣布将向在得克萨斯州兴建半导体工厂的三星电子提供64亿美元补贴。韩国政府此前向美方提出“让对美进行半导体投资的韩企享受无差别对待”的要求。美国商务部称，三星是唯一一家在先进内存和先进逻辑技术方面都处于领先地位的半导体公司。三星将在接下来数年投资400亿美元，支持创造至少2.15万个就业机会。
韩联社报道，三星的泰勒首家工厂将从2026年起生产4纳米和2纳米芯片，第二工厂将从2027年起量产尖端芯片，研发工厂也将于2027年投产。美国对三星的补贴规模仅次于对英特尔（85亿美元）和台积电（66亿美元）的补贴规模。
三星将在泰勒地区建设两个领先的逻辑晶圆厂，专注于4纳米和2纳米制程芯片技术的大规模生产，一个研发晶圆厂，专注于开发和研究比目前生产的制程更先进的技术，以及一个先进的封装工厂，用于生产3D高带宽内存和2.5D封装，这两种技术都在人工智能领域具有关键应用。三星电子将向得州泰勒市投资170亿美元，扩大兴建中的半导体工厂规模和投资对象，直至2030年共投资450亿美元。这比原先计划的投资规模多出一倍以上。
同时三星将在得克萨斯州的奥斯汀扩建三星的现有设施，以支持美国航空航天、国防和汽车等关键行业的全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺技术的生产。这项拟议的投资还包括与美国国防部的合作。
三星将生产2nm芯片
美国商务部表示，三星项目将创造17000个建筑工作岗位和4500个制造业工作岗位。
两年前，三星在向得克萨斯州提交的文件中提出，未来20年可能投资2000亿美元在得克萨斯州新建11家芯片制造工厂。
据美国商务部称，三星计划在泰勒建设的两座芯片制造工厂将为该公司的代工业务（其中一些是世界上最先进的）生产4nm和2nm芯片，并于2026年和2027年开始生产。
与此同时，三星计划的先进芯片封装工厂将为高带宽存储（HBM）进行3D封装，HBM是一种特殊类型的内存，是人工智能（AI）计算不可或缺的一部分。它还将提供所谓的2.5D封装技术，用于将逻辑芯片和存储芯片组合到单个封装中，从而为人工智能计算创建更强大的芯片系统。
4月8日，美国宣布将为台积电提供66亿美元拨款补贴，在这一支持下台积电同意将其在美国的投资由400亿美元增加60%以上，达到650亿美元以上。此外台积电还将在美国本土生产世界上最先进的2nm芯片。台积电的补贴是《芯片和科学法案》规定的第二大拨款，仅次于向英特尔提供的85亿美元拨款和110亿美元贷款。
《芯片和科学法案》是拜登政府复兴产业政策的核心，利用美国政府资金恢复对国家安全和经济增长至关重要的技术部件的国内生产。20世纪90年代，美国占全球芯片产量的三分之一以上，这一份额到2020年已降至12%左右。
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