近日,美国政府宣布,将向三星电子提供最多64亿美元的资金补贴。至于三星电子方面,也宣布将在美国德州投资超过400亿美元,建设包括2纳米制程晶圆厂在内的一系列半导体制造设施。
与台积电一样,三星电子此次也与美国政府签订的是不具约束力的初步备忘录。在备忘录中,三星电子预计将在德州的两个地点建立一个半导体生态群,其中包括在泰勒市兴建两座先进逻辑芯片代工厂,分别采用4纳米和2纳米先进制程技术。另外,还将在泰勒市设立一座先进制程研发基地。
除了先进制程之外,三星电子也宣布将在泰勒市设立一座先进封装工厂,可进行HBM内存的生产和2.5D芯片的封装。最后,还将在德州奥斯汀扩建现有半导体设施,扩大FD-SOI制程技术产能。
根据三星电子表示,这次投资将在未来5年为美国创造超过17000个建筑产业工作职缺,和4500多个高薪制造业工作机会。而作为配套,美国政府还将藉由《芯片法案》的规定来提供4000万美元的当地劳动力培训发展资金。
三星电子DS事业部总裁Kye Hyun Kyung表示,三星不仅是扩大生产设施,另外正在加强本地半导体生态系统,并将美国定位为全球半导体制造目的地。为了满足美国客户预期的需求增加,对于人工智能芯片等未来产品,三星电子的晶圆厂将配备尖端制程技术,并帮助提高美国半导体供应链的安全性。
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