2024年10月31日，美国商务部和美国国家半导体技术中心（NSTC）的运营商Natcast公司共同宣布了第一个基于美国《芯片与科学法案》推动的芯片研发（R&D）旗舰设施的建设计划，将在纽约州首府奥尔巴尼（Albany）的NYCREATES运营的奥尔巴尼纳米技术综合体（AlbanyNanoTechComplex）内，打造CHIPSforAmericaEUV（极紫外）加速器。预计将获得8.25亿美元的拟议联邦投资的支持。
据介绍，这个EUV加速器将专注于推进最先进的EUV技术和依赖该技术的相关研发。同时，该EUV加速器还将汇集来自整个生态系统的NSTC成员，通过为NSTC成员提供技术、能力和关键资源来加速半导体研发和创新。
值得注意的是，在2023年12月11日，美国纽约州长KathyHochul就曾宣布，与包括IBM、美光、应用材料（AppliedMaterials）、东京电子（TokyoElectron）等半导体大厂达成一项合作协议，预计将投资100亿美元在纽约州奥尔巴尼纳米技术综合体兴建下一代High-NAEUV半导体研发中心，以支持世界上最复杂、最强大的半导体的研发。
显然，此次美国商务部和NSTC是在进一步对该项目进行支持，将该项目打造成美国芯片技术研发的旗舰设施。
美国商务部长吉娜·雷蒙多（GinaRaimondo）表示：“通过第一个拟议的旗舰设施，芯片法案为NSTC提供了获得尖端研究和工具的机会，它的推出代表了确保美国在创新和半导体研发方面保持全球领先地位的一个重要里程碑。芯片法案的研发部分对我们的长期国家安全至关重要，并确保美国仍然是地球上最具技术竞争力的地方。多亏了拜登总统和哈里斯副总统，我们不仅生产了世界上最先进的半导体;我们正在构建一个有弹性的生态系统，为从智能手机到高级人工智能的一切提供动力，维护美国国家安全，并使美国在未来几十年保持竞争力。”
“拜登-哈里斯政府的这项8.25亿美元投资，将巩固奥尔巴尼作为半导体创新和研发领域的企业家、研究人员和工程师的世界级中心的领导地位，”美国国家经济顾问莱尔·布雷纳德说。
EUV光刻技术对于制造更小、更快、更高效的微芯片至关重要。随着半导体行业突破摩尔定律的极限，EUV光刻技术已成为一项关键技术，可实现以前无法实现的7nm以下更先进的晶体管的大批量生产。随着NSTC开发能力和计划，获得EUV光刻研发对于实现其三个主要目标至关重要：1）扩大美国的技术领先地位；2）减少原型制作的时间和成本；3）建立和维持半导体劳动力生态系统。
美国商务部负责标准与技术的副部长兼国家标准与技术研究所所长LaurieE.Locascio表示：“NYCREATES拥有二十年促进有效公私合作伙伴关系的成熟经验，自成立以来在半导体研发、制造和劳动力发展方面投资超过250亿美元，具有得天独厚的优势，可以支持NSTC的使命，即提供一个开放的环境来加速研究，缩短商业化时间，并在美国发展可持续的半导体生态系统。”
“CHIPSforAmericaEUV加速器突显了我们对在美国开发和推进下一代半导体技术的承诺，”Natcast首席执行官DeirdreHanford说。“通过与NYCREATES的合作，Natcast和NSTC成员将能够获得基本的EUV光刻工具和工艺，以促进更广泛的研究并加速未来技术的商业化。”
Natcast和NYCREATES（一家运营奥尔巴尼纳米技术综合体的非营利组织，致力于推动半导体研发和劳动力发展）预计将为NSTC成员建立EUV加速器，以进行下一代半导体研发活动。EUV加速器将于2025年开始运营，将使Natcast、NYCREATES和NSTC成员能够合作开展研发活动，这对于实现创新半导体技术的更快商业化和加强美国的技术领先地位至关重要。EUV加速器的主要功能预计将包括：
获得尖端的EUV光刻工具和下一代研发能力，包括高数值孔径（NA）EUV系统，预计到2025年将达到标准NAEUV，2026年将达到HighNAEUV。
召集并促进与行业、学术和政府合作伙伴的合作，以推进技术创新。
专门的NSTC现场办公室，为Natcast和NSTC成员研究人员提供支持。
支持提供、培养和发展有才华的员工队伍的计划。
努力增加NSTC会员和参与度，同时与所有NSTC设施一起营造开放、协作的研发环境。
CHIPSforAmericaNSTC原型制造和国家先进封装制造计划（NAPMP）先进封装试点设施以及CHIPSforAmerica行政和设计设施仍在即将推出。该部门和Natcast预计将在未来几个月内宣布有关选择附属技术中心流程的信息。
Natcast和NYCREATES签署了一份不具约束力的谅解备忘录（MOU），预计最终合同的预期期限为10年。最终合同需要经过尽职调查、持续谈判和完善某些条款。最终合同中包含的条款可能与此次宣布的谅解备忘录的条款不同。
