10月21日，根据美国媒体The Information传来的消息显示，美国商务部正在调查台积电是否有违规替我国华为公司制造适用于智能手机或者人工智能系统的芯片。
这番操作摆明了是不认可我们拥有自主制造高阶芯片的能力，因为从2023年以后，华为就成功发布了麒麟9000S芯片，而后在今年华为Pura 70系列上，华为又发布了麒麟9010芯片，这两款芯片，根据拆解分析发现，工艺精度基本上都维持在7nm左右，而在麒麟9000S发布的时候，其实，美国方面已经拆解分析过，并表示没有发现美国技术。
但是，现在又开始搞怀疑，因为在拜登等美国高层的眼中，我们是不应该有能力制造出高阶芯片的，毕竟，我国当下最高工艺的光刻机也只是65nm，如果按照传统的芯片制造工艺来说，我们能够制造的芯片精度应该也只是停留在65nm才对。
可是，现实却是，我们做到了，而华为也没有公布代工厂商，所以就让美国陷入到了自我怀疑之中，最终才有了美国对于台积电的审查。
但是，就在10月24日，欧洲巨头ASML传来的一则消息却改变了欧美对于我国芯片事业的看法，同时拜登也该醒醒了，根据Wccftech报道，ASML首席执行官Christophe Fouquet在接受采访的时候表示，我国或许能够设法生产一些3nm、5nm芯片，但是由于智能利用较旧的DUV技术，无论良品率还是产能都会受到限制。
这也就是说，ASML公司从技术的角度已经可以确定的就是，我们是有办法利用DUV光刻机生产制造3nm和5nm芯片的，而这已经可以解释华为高阶芯片的来源问题了，看到这个结果估计美企不愿看到的事情再一次上演了，每一次我们的技术破局，本质上就是摆脱对欧美企业的依赖，这会对他们的市场份额在现在或者未来造成很大影响。
不可否认的是，当下我国的正式商用的光刻机的精度还没有达到世界一流水平，但是，未商用的，或者说还处于实验室阶段的光刻机，精度方面肯定要超过65nm，甚至是28nm，毕竟我们一直以来的技术发展路线都是稳中求进。
所以，可以预见的未来是，短则三年长则五年，我国的光刻机水平一定会追上世界主流脚步，能不能比肩ASML不好说，但是在DUV光刻机技术上追平日本还是大概率事件的。
而当下日本的佳能、尼康在DUV光刻机方面也是能够做到10nm精度了，甚至更高也在探索，当光刻机精度达到10nm水平后，我们完全可以通过多重曝光等方式，实现良率更高的5nm，甚至是3nm芯片的大规模量产。
不要认为从65nm过渡到10nm会是一个很久远的过程，要知道当年ASML从65nm到10nm也只是用了11年而已，这属于探索前进阶段，我们是追赶阶段，我们的速度只会更快，特别是我们到现在还没有正式亮相浸润式光刻机，当我们的浸润式光刻机问世的时候，我们国产光刻机的精度将快速翻一倍，这一下就可以拉快国产光刻机的发展精度。
而对于ASML公司CEO对我国的预判，外媒方面给出的评价是，该来的还是来了，美国的阻拦并不能阻止中国芯片技术的发展，并且在艰难的情况下，中国又创造了新的神话，哪怕不用先进光刻机，也可以制造先进的高阶芯片。
