在9月中旬的时候，工信部一则消息的发布引起了国内外的重点关注，因为我国成功研制出分辨率≤65nm的氟化氩光刻机，该光刻机的套刻精度≤8nm，虽然，这台光刻机的最高精度在65nm，但是，要知道在四年之前，我国国产光刻机的精度还维持在90nm水平，所以，这一次的突破已经是一个重要里程碑，同时也标志着我国对于光刻机的推进计划正在起效，接下来的10年里，国产光刻机将迎来井喷式爆发，这才是欧美日韩最为害怕的事情。
毕竟，从过往的历史来看，当年的ASML公司就是在2002年推出65nm分辨率光刻机以后，开启了自己在光刻机领域的“开挂人生”，另外，需要注意的一点是，我们到现在为止推出的还是干式光刻机，这也就是说，后面我们还会有浸润式光刻机，而浸润式光刻机如果被我们攻克，那么下一台国产光刻机的精度很可能就会来到36.5nm，因为当年ASML就经历过这个过程。
当年，这个难度也会很大，可是，对于我们来说，只会是时间问题，而在国产光刻机继续挺进的同时，中国光谷发布了一篇官方文章，这篇文章释放了一个重要信号，那就是武汉太紫微光电科技有限公司推出的T150A光刻胶产品，已经通过半导体工艺量产验证。
这意味着什么呢？首先，我们需要知道的一件事情就是，当下主流的光刻机在进行芯片光刻的过程中都不是直接进行的，这个过程需要一个中间介质，它就是光刻胶，如果把芯片光刻比作老式胶片相机的话，那么光刻胶的功能就相当于胶片，主要就是为了让电路图在芯片上显影，方便后续刻蚀。
在过去我们一直依赖于日本进口光刻胶，在美国对我们搞限制以后，日本在光刻胶的出口上也给我们层层加码，这让我们的芯片制造变得更加艰难，所以，在这种情况之下，我们开始大力推动国产光刻胶技术的突破，
而当下的T150A光刻胶其分辨率为120nm，可以应用在5nm及以下芯片的生产制造上，这也就是说，单单在光刻胶这个环节上，我们已经走到了世界一流水平，接下来欧美日韩再也不可能在光刻胶领域卡我们脖子了。
因为，我们的国产光刻胶目标已经定在了5nm这个档位上，这意味着，我们除了可以自用，还将在光刻胶领域走向国际市场，和传统的欧美日等地区的光刻胶巨头同台竞技，这意味着欧美不愿接受的情况出现了。
毕竟，一直以来，凡是中国企业突破的技术，一旦进入国际市场，其它企业都将失去竞争力，盾构机是这样，通信设备也是这样，接下来光刻胶也会是这样。
而伴随着我国从光刻机到光刻胶的突破，拜登彻底沦为了笑柄，因为他们制定的一系列封锁计划，非但没有阻止我们的发展，同时还大大压缩了他们自己企业的生存空间，这真的是偷鸡不成蚀把米。
其实，限制不了我们的发展，现在他们已经很明白了，但是他们依旧在这条道路上越走越远，本质上他们只是想要延缓自己科技霸权的溃败而已，但是，这只会是掩耳盗铃的做法，起不到任何的根本性作用。
而外媒方面对于国产光刻胶的突破也是给出评论表示，这个速度也太快了，要知道4年前，中国的光刻胶还处于很落后的状态。
