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在近日举办的SPIE大会上，ASML新任CEO傅恪礼（Christophe Fouquet）发表了精彩的开幕/主题演讲，重点介绍了High NA EUV光刻机（售价或超4亿欧元，约合人民币31亿元）。
ASML新任CEO傅恪礼提到，英特尔在波特兰工厂完成了两台 High NA EUV 光刻机的安装。这两台光刻机堪称天价，每台售价超 4 亿欧元。它们的安装意义重大，显示出 High NA EUV 相对于标准 EUV 的改进，且安装速度不断提升。这不仅为英特尔带来技术优势，也标志着半导体行业在光刻技术上的重大突破，为未来更先进的芯片制程奠定了基础。
一、High NA EUV 光刻机的技术创新与优势
在近日举办的 SPIE 大会上，ASML 新任 CEO 傅恪礼发表了精彩演讲，重点介绍了 High NA EUV 光刻机。这款光刻机售价高昂，约合人民币 31 亿元，但它更像是 EUV 光刻机的“升级款”，不太可能像最初的 EUV 光刻机那样出现延迟，有望相对快速地推出和采用。
傅恪礼谈到了组装扫描仪子组件的新方法，即在客户现场组装，这将大大节省时间和成本，有助于加快 High NA EUV 光刻机的发展。未来，这款光刻机可混合搭配镜头组件，具有大量的通用性、更多的成本节约和简单性。此外，ASML 在圣地亚哥拥有稳定的 740 瓦电源，并有明确途径实现 1000 瓦的供电。采用大尺寸掩模对于行业来说是“不费吹灰之力”的，这有助于克服 High NA 的芯片尺寸限制，提升 40%的性能。
二、High NA EUV 光刻机的行业影响与未来展望
英特尔院士兼光刻总监 Mark Phillips 展示了英特尔在波特兰工厂安装的两个 High NA 系统的图像，显示了 High NA EUV 相对于标准 EUV 带来的改进，且第二个系统的安装比第一个更快。High NA 所需的基础设施已到位并开始运行，光掩模检查也已开始。目标插入点是英特尔的 Intel 14A（1.4nm）工艺，大约需要 3 年时间，可能比预期更快。台积电虽以成本为由迟迟不肯接受 High NA，但如果英特尔取得领先地位，台积电将被迫跟进。会议上还有传言称 ASML 的傅恪礼和英特尔的 Anne Kelleher 会面，可能讨论在推出 High NA 方面的合作关系。此次会议对 High NA EUV 光刻机的推出和摩尔定律的整体技术进步非常有利，对英特尔和 ASML 来说都是利好消息。在全球半导体市场围绕人工智能展开的背景下，High NA EUV 光刻机的发展将为行业带来新的机遇和挑战。
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