随着电路板上集成的元器件越来越多，晶振趋向小型化；5G的快速发展，要求通信速度快，晶振趋向高频化。根据长期行业经验，对精度和功耗的要求也比较多。
总的来说，晶振的性能指标趋势是小型化、高频化、高精度、低功耗。
Q1:晶振国产和进口的差别？
A1:消费类工业类产品，没多大差异，国产晶振几乎整个领域都可覆盖，且百分百兼容；高性能某些产品，有差异，一些技术国内还达不到。比如可编程差分晶振，非常低的抖动值的要求，国内技术还达不到。
Q2:晶振起振时间受哪些因素影响？
A2:受晶振的负载电容和外置电容影响，同时晶振的负阻特性也会影响
Q3:现在的晶振可以做到多少精确度
A3:无源晶振常温可做到 ±3ppm（这个代价太高），常规的精度是在±10ppm温补晶振可以做到±0.5ppm，恒温晶振精度就更高了，到了PPB、PPT级别。
Q4:差分晶振应用场合和优势
A4:应用领域：光纤通讯、10G以上以太网、高端视频矩阵；优势：信号稳定、衰减低、消除共模信号
Q5:普通有源晶振overall最好可以做到多少PPM？
A5:常温精度可以做到±10ppm温特-2070℃精度可以做到±10ppm温特-4085℃精度可以做到±20ppm
Q6:晶振耐压性能如何？能提高吗？
A6:从有源晶振的电压特性来讲，我们常用的是1.8~3.3V的产品较多，最大值是在3.63V，如果是无法原晶振耐压性能这个跟芯片的耐压值和产品电路的负阻特性有关。
Q7:晶体作为锁相环外置晶振，比如SE564，需要怎么匹配电路？
A7:这个可以查一下SE564芯片资料介绍。无源晶振常用电路是，晶振两脚接芯片，同时两脚再有2个电容接地。
Q8:晶振在电子产品批量生产中，损坏（不是三两个），一般是什么情况？是高温烤的原因？
A8:高温烤坏，就要看这个高温是多少，晶振的工作温度，在规格书里都有提到，超出了工作温度有概率会烤坏的。如果在工作温度范围内坏的话，那就是晶振本身质量问题。这个涉及到晶振制造工艺问题，如：晶片污染、银层不牢、胶不牢固、应力未释放等等。
