全球第一家成功量产232层3D NAND闪存芯片的企业，并不是三星、SK海力士等知名国际巨头，其实是中国的长江存储，于2022年就制造出了全球首款232层的3D NAND闪存芯片。
而当时像美光、三星、SK海力士都没有正式量产，只是官宣了相关产品但没制造出来，所以长存的232层3D NAND闪存面世，对行业造成了巨大的影响
和一般的逻辑芯片不一样，NAND闪存芯片，不能一味的追求XX纳米的微缩，因为当工艺到达15nm后，再缩小，存储芯片就极不稳定，而数据存储芯片，最重要的是稳定。
所以存储芯片追求的是3D 堆叠，通过多层堆叠，提高存储密度，提升读写速度，这也是为何存储芯片，说的是多少层的原因，层数越高，技术越先进，存储额度越高。
所以长江存储232层3D NAND面市后，据称苹果都有意采用长存的NAND闪存，而一旦长江存储抓住这个机，利用时间窗口，向市场大量出货232层产品，那么三星、SK海力士、美光等都会非常被动。
于是美国出手了，一是施压苹果，不准使用长存的存储芯片，二是将长存拉入黑名单，不准先进的制造设备，卖给长存。
后来美国更是立了一个目标，要锁死中国3D NAND闪存芯片技术在128层，不准进入更高层。
不过，现在看来，这个目标很明显是失败了，不说之前的232层3D NAND闪存了，而近日，长江存储已经再次推出了160层的3D NAND闪存，突破了128层。
可能很多人会说，160层较原来的232层，不是后退了76层么，怎么还说突破了？
事实上，之前的232层是基于国外的先进设备制造的，比如科磊、泛林、应用材料等，后来这些厂商不再提供先进设备了。
于是长江存储转向国产设备，与北方华创、中微、拓荆科技等合作，用国产设备取代了大部分的美系设备。
而160层的3D NAND闪存芯片，几乎是采用全套国产设备生产出来的芯片，而采用国产设备也能突破128层的制裁，这就是巨大的突破和进步了吧。
而按照TechInsights 的分析，这款160层技术的3D NAND，还发现了可能应用xtacking 4.0工艺的颗粒，其晶粒密度为12.66 Gb/mm2，芯片密度为0.632 mm2/GB。
这个技术性能，完全不输给其它国产大厂的水准，机构推测，长江存储甚至已经将 Xtacking4.0 技术与 2xxL 和 2yyL 等更高层技术相结合起来了。
可见，中国人造芯一样很厉害的，只要肯努力，美国的打压，可能会成为中国芯崛起的催化剂，助力中国芯更快更好的崛起，你深入是呢？
