前沿导读
在国家平台发布了氟化氩光刻机的信息之后,媒体平台上面看到这款光刻机套刻技术可以小于等于8nm,就大肆宣传国产光刻机可以通过叠加工艺制造8nm芯片,这是一个非常错误的说法,而且跟实际的情况相差非常大。
氟化氪和氟化氩
在国家平台公布的信息当中,有两款光刻机设备:氟化氪光刻机和氟化氩光刻机。
氟化氪光刻机:
晶圆直径:300mm
照明波长:248nm
分辨率≤110nm
套刻≤25nm
氟化氩光刻机:
晶圆直径:300mm
照明波长:193nm
分辨率≤65nm
套刻≤8nm
这两款光刻机在光源部分有着很大差别,氟化氪的分子是KrF,氟化氩的分子是ArF,两种分子的照明波长不同,现在DUV光刻机采用的都是氟化氩ArF的193nm波长。
包括后来制造工艺更先进的浸润式光刻机,也都是在以上这种干式光刻机的基础上,通过在其中加入介质,将波长缩短,才可以继续进行水平更高的芯片制造。
而EUV光刻机所使用的极紫外线光源,直接照射的波长是13.5nm。对比DUV光刻机的193nm,完全不在一个技术层面,甚至可以说是上一个时代的技术产物。
技术工艺
现阶段,芯片工艺的提升,带来的直接效果就是提升芯片内部晶体管的堆叠密度。晶体管的体积越小,堆叠数量也就越多,芯片整体的性能也就越来越强。
晶体管内部有源极、漏极、栅极三种因素,一般所说的几nm芯片,指的就是晶体管内部栅极的长度。
拿7nm工艺制造的芯片举例,7nm芯片内部的鳍片与鳍片之间的距离在30nm,如果要将制造工艺下探到5nm、3nm,需要继续缩短鳍片之间的距离。在这种情况下,如果光刻机的分辨率达不到标准,是无法进行制造的。
以ASML的NXT 1980Di进行举例,这款设备的分辨率是38nm。虽然38nm>30nm,无法直接制造7nm芯片,但是可以通过多曝光的技术,实现30nm的晶圆图形。
我国现在公布的氟化氩光刻机,分辨率为65nm,与38nm的差距较大,无法参与7nm等工艺芯片的制造,更不要说去通过多曝光的技术来提升工艺了。
而套刻这个概念,指的是上下两层晶体管之间的对准精度。如果精度有偏差,那么套刻之后的偏差会越来越大。
进行多曝光技术的前提,就是需要套刻精度要足够的精密。ASML的NXT 1980Di,这款光刻机的套刻精度在2.5nm,这个水平的对准精度是可以通过多曝光制造7nm芯片的。
再回到我们的国产光刻机上面来,国产光刻机的套刻精度是最大是8nm,可以进行55nm芯片的制造。如果在8nm套刻精度的基础上进行多曝光技术,那么我们这台光刻机的极限只能满足40nm芯片的制造。
想要打破技术瓶颈,就需要用到林本坚开创的浸润式技术,将193nm的波长继续缩短,才可以进行更高水平的芯片制造。浸润式技术的下一个技术时代,就是我们现在所说的极紫外线EUV工艺。
目前来说,我们的国产光刻机还停留在干式光刻机的技术层面,比干式光刻机更先进的是浸润式,然后就是极紫外线。
虽然距离国外设备的差距相当大,但是对于我国的光刻机事业来说,这个设备已经相当不错了。尤其是跟我国之前的光刻设备相比,这次的氟化氩光刻机实现了技术大跨越。
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