氮化镓(GaN)作为一种高性能半导体材料，因其在高频、高功率、高温和高压环境下的卓越性能而备受关注。随着对高性能电子器件需求的不断增长，GaN技术正逐渐从150mm和200mm晶圆向300mm晶圆过渡。
英飞凌推出12英寸氮化镓晶圆
9月12日，英飞凌在官网宣布：已成功开发出全球首款300 mm（12英寸）功率氮化镓（GaN）晶圆技术。
与 200 mm 晶圆相比，300 mm 晶圆上的芯片生产在技术上更先进，效率更高，因为更大的晶圆直径每个晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。
300 mm GaN 技术可以提高效率性能，缩短尺寸、减轻重量，降低成本。除此以外，300 mm GaN 技术通过可扩展性确保了客户供应稳定性。
该技术的突破将加速 GaN 在汽车、工业和消费电子等行业的采用。包括AI系统的电源供应器、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统。
英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一显著的成功是我们创新实力和全球团队专注工作的结果，旨在展示我们作为氮化镓和电源系统创新领导者的地位。”
全球首款 300 mm GaN 技术曝光
英飞凌已在其位于奥地利菲拉赫的功率半导体晶圆厂中，利用现有300mm硅生产设备的整合试产线，成功地生产出300mm GaN晶圆。英飞凌正通过现有的300mm硅和200mm GaN的成熟产能发挥其优势，同时还将根据市场需求进一步扩大GaN产能。凭借300mm GaN制程技术，英飞凌将推动GaN市场的不断增长。据估计，到2030年末，GaN市场规模将达到数十亿美元。
英飞凌正通过布局300mm GaN技术，打造更具成本效益价值、能够满足客户系统全方位需求的产品，以加强现有解决方案并使新的解决方案和应用领域成为可能。2024年11月，英飞凌将在慕尼黑电子展上向公众展示首批300mm GaN晶圆。
由于GaN和硅的制造工艺十分相似，因此300mm GaN技术的一大优势是可以利用现有的300mm硅制造设备。英飞凌现有的大批量300mm硅生产线非常适合试产可靠的GaN技术，既加快了实现的速度，又能够有效利用资本。
300mm GaN的全规模化生产将有助于实现GaN与硅的成本在同一RDS(on)级别能够接近，这意味着同级的硅和GaN产品的成本将能够持平。也是英飞凌战略创新领导地位的又一里程碑，将助推英飞凌低碳化和数字化使命的达成。
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