由于中国在半导体领域的起步时间太晚,技术也比较落后,正因为如此,为了阻止中国科技产业的快速崛起,美西方就利用芯片技术优势,对中国科技企业展开了一系列的“卡脖”打压,从先进的AI芯片到先进的光刻机设备,各个环节都没有放过。
都知道,芯片的制造工艺十分复杂,有多达几百道工序,而最核心的就是光刻环节,而这个环节必须依赖光刻机设备才可以完成。对于芯片来说,集成的晶体数量越多,性能就越强,而这对于光刻机的要求就越高。举个例子,目前世界上最先进的2nm工艺芯片,依赖EUV光刻机,可以在指甲盖大小的芯片上集成超500亿个晶体,这就相当恐怖了。
聚焦光刻机设备市场,全世界一共只有4家企业能够生产制造光刻机设备,包括荷兰ASML公司,日本尼康和佳能,以及中国上海微电子。而ASML公司在光刻机领域占据了绝对的主导地位,独霸85%以上的市场份额。中国呢?其实早就造出了自己的光刻机,2018年上海微电子就推出了一款90nm光刻机,只是遭到美技术封锁和零部件“卡脖”之后,就一直停留在90nm水平,和美西方的技术差距越拉越大。
这一次,工信部官宣,两款国产光刻机问世,究竟意味着什么呢?美西方还能对中国“卡脖”吗?关于这个问题,我们需要重点看看国产氟化氩光刻机的参数,按照官方数据,这次我国推出的是68nm光刻机,也就是说,时隔6年,在美西方的重重围剿之下,我国光刻机终于突破了90nm技术封锁,有了跨越式进步。
当然,我们需要正视和美西方之间的技术差距,但也不可忽视国产光刻机问世的意义。要知道,一台主流的光刻机设备,需要几万个核心零部件,我国能够在美西方的技术封锁之下实现自研,这就充分证明了中国科技研发的实力。
但需要强调的是,中国光刻机技术和世界顶尖水平至少相差了18年,这次推出的光刻机可能还比不上ASML公司2006年推出的光刻机产品。再加上美、日、欧等西方科技强国组建了光刻机技术联盟,中国科技产业所面临的挑战和压力依然不小。
关于这台65nm光刻机,理论上,我们已经可以实现28nm芯片的自主生产和制造了。而业界专家说过,只要中国能够实现28nm芯片的自给自足,就能解决整个中国市场80%的芯片需求。根据数据显示,2024年前7个月,我国进口的芯片数量为3081亿颗,耗资2120亿美元。而随着国产光刻机的问世,一旦这款光刻机可以正式商用,将从根本上解决我国芯片需求的问题,降低美芯进口。
工信部之所以敢于公布这一成果,就代表我国已经具备独立研发光刻机的实力,且已经成功打破美西方的技术“卡脖”,正在逐步缩小和美西方之间的差距。要知道,荷兰ASML公司超过日本尼康、佳能也就是几年的时间,相信中国光刻机产业链必定也能强势崛起,未来可期!
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