近日，在工业和信息化部发布的资料中，大家看到两台国产氟化氩光刻机。
其中一台写着晶圆直径300mm，波长248nm，分辨率≤110nm，套刻精度是≤25nm。
而另一台写着晶圆直径300mm，波长193nm，分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm。
如上图所示，由于第二台写着套刻精度≤8nm，于是很多网友就觉得，通过多重曝光之后，这台光刻机，能生产8nm或以下的芯片，因为套刻精度，决定的就是芯片工艺。
一时之间，越传越神，什么国产8nm光刻机就来了，搞得一些人很是沸腾，因为国内苦光刻机已久，而ASML的EUV不卖给我们，DUV也限制了一些浸润式，如果我们有自己的8nm光刻机，情况将会完全不一样。
那么这台光刻机，究竟和8nm有没有关系，是什么关系？
大家先要搞清楚，套刻精度是个什么样的指标。
在将芯片图案曝光到晶圆前，必须晶圆进行精准量测，而测量需要时间，曝光也需要时间，所以ASML后来推出了双工作台系统。
这两个工作台，一次放两块晶圆，一个平台上的晶圆正在曝光时，另一个晶圆被装到二号平台进行对准和测量，两个工作台轮流工作，这样来节省时间。
既然是双工作台，那么两个工作台相互对准之间的精度，就叫做Overlay——套刻精度。
同时套刻精度还有三种，比如ASML的NXT 1980Di，有三个套刻精度，OPO≤3.5nm，DCO≤1.6nm，MMO≤2.5nm。
OPO指产品本身的套刻精度，指的是上次曝光和现在的对齐精度。DCO同一台设备自己套自己的精度，MMO不同设备之间的套刻精度。
OPO还是DCO，还是MMO，这几个参数共同决定了你能不能用多曝工艺，以及量产之后的曝光图形的一致性，和上下层最终的对准精度。
套刻精度，代表的其实多重曝光之间的误差值，误差越小，良率越高，就可以多曝光几次，误差越大，良率越低，就无数多重曝光。
按照ASML的定义，给大家看一个图，是ASML一些典型光刻机的制程、分辨率、套刻精度等的参数指标图。
大家可以看到，在ASML的XT1250这种制造90nm芯片的光刻机上，MMO套刻精度就是6nm，分辨率是小于70nm的。
从这张图也可在判断出，国产的这台氟化氩光刻机，其实和8nm没有一毛钱的关系。上面写着分辨率是小于等于65nm，光源是193nm，我们仔细对标一下，最多对标的是ASML的XT1470，可能还不一定行，而这台光刻机最多只能制造65nm的芯片。
所以，大家别沸腾了，别将套刻精度，和芯片工艺对应起来，这两者完全不是一回事。
