海力士成功开发出第六代10纳米级（1c）工艺的16GbDDR5DRAM，成为全球首个突破该技术极限的公司。该公司表示，其将从明年开始供应产品，并且已经完成了1cDDR5DRAM的量产准备。
海力士的技术团队通过1bDRAM平台扩展的方式开发了1c工艺，他们认为这样做不仅可以减少工艺过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内以最高性能DRRAM受到认可的SK海力士1b工艺优势转移到1c工艺中。
此外，海力士还开发并适用了新材料，在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化，从而确保了成本竞争力。同时，公司在1c工艺上也进行了设计技术革新，与前一代1b工艺相比，其生产率提高了30%以上。
值得一提的是，此次1cDDR5DRAM主要用于高性能数据中心。其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了11%，同时能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将SK海力士1cDRAM采用到数据中心，公司将预测其电费最高能减少30%。
