8月20日，韩国媒体《每日经济》发表文章称，中国企业正在大力开发高带宽存储器（HBM），它被认为是人工智能（AI）的必备材料。是为了突破美国的技术封锁，建立独立的AI生态系统。如果中国企业成功实现HBM自给自足，也可能会影响韩国半导体企业的主导地位。
6月份，中国最大的DRAM制造商长鑫存储的母公司长鑫科技集团与上海市政府签署了在浦东新区征地的合同。浦东新区是生物、AI、半导体等高新技术产业投资密集的产业集聚区。
长鑫科技集团计划投资171亿元人民币在这里建设先进的内存封装工厂。计划近期开工，2026年投入运营。它的作用是将长鑫存储生产的DRAM封装到HBM中。目标包装量为每月30000件左右。
据悉，中国最大的通信设备制造商华为也与当地代工企业武汉新芯联手开发HBM。封装公司通富微电和江苏长电正在参与华为的HBM项目。
HBM是通过垂直堆叠DRAM创建的，是提高数据传输速度的下一代存储器。通过将HBM连接到美国英伟达图形处理器（GPU）而创建的“AI加速器”广泛用于大规模语言模型（LLM）等AI模型的学习。SK海力士几乎占据HBM市场的主导地位，其次是三星电子和美国美光。
中国HBM的开发是AI半导体“国产化”尝试的一部分。美国政府正在彻底阻止高性能半导体的出口，以阻止中国的技术崛起。作为回应，华为向中国市场推出了自己的人工智能芯片“昇腾 910B”。如果拥有自己的HBM供应链，中国AI芯片（计算）-HBM（存储/传输）结构就完成了。
有些人认为还有很长的路要走。在HBM方面，中国与韩国存在约10年的技术差距。中国内存公司的目标是第二代“HBM2”，韩国公司已于2016年将该技术商业化。因此，即使中国HBM量产，也只会用于内需，不太可能损害SK海力士和三星电子的全球竞争力。
相反，如果HBM等中国的“内存自给自足”成为现实，韩国企业的销售受到打击是不可避免的。中国是韩国半导体企业最大的市场。然而，对韩国制造的依赖正在减少，华为最近推出的高端智能手机首次配备了中国制造的DRAM和NAND闪存。
韩国祥明大学系统半导体工程系教授Lee Jong-hwan表示，“对于已经生产DRAM的中国企业来说，HBM堆叠DRAM的准入门槛并不是很高”，并补充说，“这取决于投资和专注程度。对韩国企业的潜在威胁可能很大”。
