NOR闪存出现的时间比NAND早一些，但由于其便宜和易于扩展，NAND已经变得更加普遍。这在很大程度上得益于 3D NAND 技术的发展，因此可以显著提高串行驱动器的容量。
NOR并没有消亡，因为它比NAND具有优势——快速随机访问和可靠性，因此它经常用于嵌入式和工业解决方案中，用于存储固件、BIOS等。但专门创建利基NAND和NOR解决方案的台湾公司Macronix将改变这种状况。
3DNOR。来源：马克罗尼克
早在 2022 年，Macronix 就宣布正在开发 32 层 3D NOR 内存，与 2D NOR 相比，容量将增加七倍。这一发展的主要市场利基是嵌入式和工业应用，以及道路运输领域。
在结构上，3D NOR由多层“三明治”组成，该三明治具有氧化物和氮化物的交替层，该“三明治”被所谓的“塞子”渗透 - 相当复杂的垂直结构，由两列n型掺杂半导体组成，它们之间有一个氮化硅垫圈。每个单元有两个这样的“插头”，用作构成位列通道的晶体管的漏极和源极。字串（以及上述晶体管的栅极）是正交排列的。
新内存设计用于 100,000 次完全擦除重写周期，访问延迟约为 100 ns，每芯片 （DDR-200） 的线性访问速率为 400 MB/s。它还具有低功耗（1.8 或 3 V 电源）的特点，可以具有 QSPI/八进制接口，并符合 AECQ-100 和 ISO 26262 ASIL B 级可靠性标准。
在之前发布的材料中，该公司谈到了在 3 年开始大规模生产 1、2、4 和 8 Gbps 的 2024D NOR 的计划。实际上，新产品会有所延迟——试运行将于今年开始，预计在 2025 年之前不会出现芯片的广泛供应。
