刻蚀工艺是选择性地从晶圆表面去除不需要的材料以达到芯片制造要求的工艺过程，它包括图案刻蚀与无图案刻蚀。图案刻蚀指在指定区域选择性地刻蚀材料，从而将晶圆表面的经过曝光显影后的光刻胶图案转移到光刻胶下方的薄膜上。在薄膜上真正执行“刻”的动作是刻

光刻是将电路图形从掩膜版上转移至硅片上的工艺流程，其过程利用光刻机所发出的光线，将涂有光敏材料（光刻胶）的晶圆进行曝光处理，光刻胶遇见光照后会发生特性变化，经过显影液显影后将掩膜版上的图形转移到晶圆上来，从而在晶圆上实现微观电路图形的特性。

光刻机架构光刻机主要由光源、光路系统及物镜、双工件台、测量系统、聚焦系统、对准系统等部分组成。其中，晶圆模组部分主要负责曝光前晶片的测量与参数录入，照明光学模组部分完成晶圆的曝光。在晶圆模组部分：晶圆传送模组中，由机械手臂负责将晶圆由光阻涂