VBsemi微碧半导体

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  • 这是一个直流电机驱动电路,驱动方式比较容易,但是在使用过程中出现一个问题:电机内部出现异常,过一会就把MCU或者MOS管给烧毁了。检查发现,是因为并联在电机旁边的续流二极管有一端虚焊了,导致电路出现异常,将其焊接完整以后,电机就可以进行正常
    VBsemi微碧半导体3月前
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  • 将5V的电源电压,转换为3.3V,或者将3.3V转换为5V,这就是我们之前讲过的电平转换。今天微碧分享网上看到的,一个比较简单的电平转换电路。用一个MOS管连接,这是5V的单片机,这边是3.3V的PM2.5传感器。如何用5V转换3.3V?当
    VBsemi微碧半导体4月前
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  • 微碧在网上看到一个锂电池检测电路,它是用单片机(3.3V)控制NMOS进行导通关断,ADC采集电压时导通,ADC不采集电压时就关断。但是这个电路有个问题,这个锂电池是3.7V,充满电以后变成4.2V。我们来看这个工作原理:如果说单片机输出3
    VBsemi微碧半导体5月前
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  • 分享一个网上的电路设计,可以连续变化或者间断性改变LED灯亮度的电路。元器件:这里用到电阻、电容、二极管、MOS管和按键开关。电路工作状态当电路通电时,此时按住左边的开关不动,LED会逐渐变亮,直到最大的亮度。那么接下来就可以按右边的开关,
    VBsemi微碧半导体6月前
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  • 分享一个微碧在网上看到的电路情况。当用100kHz的频率驱动PMOS时,PMOSG极的电压信号并不是一个脉冲波,PMOS一直处于线性放大的状态,并且无法关断。于是将电路修改,将驱动三极管的信号换成直流电,PMOS正常开通,但是这是在完全低频
    VBsemi微碧半导体6月前
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  • VBsemi微碧半导体6月前
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  • 一个MOS管最大电流是100a,电池电压96V,开通后刚进入米勒平台时,MOS管发热功率是P=V*I,由于电流达到最大,所有功率都在MOS管上:P=96*100=9600w。此时它的发热功率最大,随后迅速降低直到完全导通,功率变成了100*
    VBsemi微碧半导体8月前
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  • 首先,单片机的IO口带有一定的负载能力,但电流很小,驱动能力有限,一般在10-20毫安以内,因此一般不采用单片机直接驱动负载的方式。我们来简单对比下三极管和MOS管驱动上的区别三极管:三极管是电流控制型,只要基极驱动电压高于Ube的死区电压
    VBsemi微碧半导体7月前
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