从半导体功率器件的发展历史看，大致可以将其分为平面型（planar）和沟槽型（trench）两种结构。图1所示为平面型MOSFET的典型结构，栅极处于晶圆表面。该结构是在20世纪70年代末被提出，并一直使用到现在。工艺上，先进行P-body