高通公司CEOCristianoAmon确认公司将重返服务器芯片市场，这一消息是对此前关于高通有意重新进入该领域的传闻的首次正面回应。高通此次回归将采用其子公司Nuvia自研的内核技术，以期在数据中心和汽车领域推出基于Snapdragon处

韩媒ETNews近日报道指，在优异能效等因素下，美光正迅速在HBM内存领域成为SK海力士和三星电子两大韩国存储企业的威胁。由于多重影响，美光传统上在HBM领域处于弱势。但美光在2022年大胆放弃了HBM3的量产，将精力集中在了HBM3E内存

由于近年来DRAM厂新增产能有限，叠加HBM消耗大量产能，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，预计明年HBM供应缺口约11%，标准型DRAM供应缺口则高达23%，为近年罕见，价格将一路上涨。DRAM市场迎来供需失衡“超级周期”受近

在过去的一年多里，以大模型为代表的生成式人工智能（AIGC）在全球范围内掀起了AI技术新浪潮。也正是得益于这新一轮的AI浪潮，英伟达再度创造历史，以惊人的增长速度，超越苹果成为全球市值第二大企业，其市值首次突破3万亿美元大关。性能超越英伟达

大摩更新了英伟达的GB200供应链的情况，据说要用玻璃基板进行封装，提到GB200DGX/MGX的供应链已经启动。其中提到，GB200采用的先进封装工艺将使用玻璃基板。主要是因为与硅、有机基板相比，玻璃基板具有强度可调节、能耗低、耐高温的优

据消息，为了在高端AI芯片竞赛中急追猛赶，三星存储芯片紧急踩刹车，准备使用SK海力士所领导的高端芯片封装工艺技术。生成式AI对高带宽内存(HBM)芯片的需求激增，但当SK海力士、美光科技被曝拿下英伟达高额订单时，三星却意外在交易中缺席。AI

在数字时代的洪流中，每一次技术的飞跃都在重塑我们的世界。近日，一项颠覆性的技术成果，2nm光刻机正式出炉，它的问世不仅标志着芯片制造进入了一个全新的纪元，更在技术封锁与自主创新的博弈中，为华为等科技企业提供了新的发展思路。台积电，如期量产围

目前TSMC共有5座先进封测厂，分别位于竹科、中科、南科、龙潭与竹南。其中，2023年6月竹南的AP6正式启用，为台积电首座实现3DFabric整合前段至后段制程以及测试的全自动化工厂。而同时因应CoWoS产能供不应求，台积电当时也急速重新

继推出突破性的AI产品ChatGPT之后，OpenAI的CEO山姆?奥特曼（SamAltman）又欲筹集5至7万亿美元，重塑全球半导体产业格局。据了解，这项计划不仅仅是为了建设更多的芯片工厂，而是关乎于增强全球芯片、能源和数据中心的基础设施

HarmonyOSNEXT另一大优势在于流畅，至于业内人士爆料，纯血版鸿蒙系统对内存利用效率提升三倍，支持设备人工智能。换句话说，搭载新系统手机可能比安卓流畅三倍左右，8GB内存系统媲美安卓阵营24GB内存，假如可以实现这一目标，华为手机的

近年来，随着储能系统的迅速发展，SiC（碳化硅）作为一种宽禁带半导体材料备受瞩目。相比传统的硅基绝缘栅双极型晶体管（IGBT），SiC具有更低的导通电阻和开关损耗，以及更高的击穿电压和耐高温性能。这使得SiC在高压、高频、高效能应用中表现出

据悉，三星电子正在推进设备投资，以开发8英a寸SiC/GaN工艺。迄今为止完成的投资仅在1000亿至2000亿韩元之间（折合人民币5.3亿-10.6亿元）。该行业正在寻找一个可以超越简单开发和批量生产原型的水平。三星电子在今年年初成立了“功

在科技发展的浪潮中，中国正迈着坚定的步伐，向世界展示其强大的创新能力和技术实力。近日，一条重磅消息震惊了全球科技界：中国计划在2027年前逐步淘汰电信基础设施中的非国产芯片，这标志着中国芯片产业的强势崛起，也意味着一场科技领域的“换芯”革命

三星电子和SK海力士正在激烈竞争，以引领人工智能（AI）时代的下一代半导体市场。两家公司都在努力通过新产品开发和大规模生产时机来获得优势。随着英特尔加入竞争，全球半导体战线正在扩大。存储芯片产业大洗牌在科技行业的深处，一场无声的较量正在激烈

近日，全球光刻机大厂ASML首次在其荷兰总部向媒体公开展示了最新一代的HighNAEUV光刻机，除了已经率先获得全球首台HighNAEUV光刻机的英特尔之外，台积电和三星订购HighNAEUV预计最快2026年陆续到位，届时HighNAEU

美国政府宣布将为三星电子提供高达64亿美元芯片补贴，以扩大得克萨斯州的芯片生产。三星电子的项目将包括增加一座晶圆代工制造基地、一座研发基地，以及位于得州泰勒市的一座先进芯片封装工厂。美国向三星电子提供64亿美元补贴美国政府宣布将向在得克萨斯

Meta正在不遗余力地想要在生成式AI领域赶上竞争对手，目标是投入数十亿美元用于AI研究。这些巨资一部分用于招募AI研究员。但更大的一部分用于开发硬件，特别是用于运行和训练MetaAI模型的芯片。性能相比MTIAv1提升了3倍去年，Meta

据BusinessKorea报道，三星电子正在加快3DDRAM的研究和开发，这家半导体巨头已经开始加强相关团队建设，比如招聘人员。三星电子还在考虑增加DRAM晶体管的栅极（电流门）和通道（电流路径）之间的接触面。这意味着三面接触的FinFe

半导体材料位于半导体产业链最上游环节，是芯片制造与封测的支撑性行业。半导体行业技术门槛较高，涉及的产业链较长，从上游至下游包括芯片设计、制造、封测、终端应用等环节，终端应用包括5G通信、计算机、云计算、大数据、汽车电子、物联网和工业电子等领