我们都知道，现在最好的硅片也就是12吋，只有少数几个已经很好的晶片，还在使用八吋、六吋和四吋晶片。
可以说，随着制程的进步，硅片的体积也会越来越大，这是由于废料的减少和成本的降低。但是随着芯片的不断扩大，芯片的制造工艺也变得越来越复杂。
尽管一般的硅片已经发展到了12吋，但是仍有大量的特种材质晶片还停留在4吋、6吋和8吋。
就拿日本和美国来说，最先进的芯片，也只能生产出6寸以上的单晶硅。
那是哪一类的铌酸锂芯片？作为一种集光发光与接受于一体的新型光电子器件，在滤波器、光通信、量子通讯以及太空等方面具有非常广泛的应用前景。
但是，由于铌酸锂晶体本身就很脆弱，很难制造出大面积的晶体，因此日本和美国目前也只能达到6吋水准，因此，业界必须在八吋制程技术上进行探讨，看看哪一家能走在最前面。
目前，全球第一个8吋硅基铌酸锂膜太阳能电池板已在湖北成功投产，预示着中国将在该行业的国际竞争力上取得更大的优势。
最终研制出8吋 SOI及8吋铌酸锂晶片，成为目前全球最尖端的硅基互联太阳能电池系统。
随着5 G、大数据和人工智能等技术的快速发展，新型的光电子器件受到了广泛的重视，而铌酸锂晶体作为一种新型的光电子器件，由于具有优异的光学性能，在未来的研究中具有广阔的应用前景。
中国8吋LiNbO_3晶片的批量生产，亦预示著中国将在大型Nb-酸锂晶片的光伏整合上，带动整个行业的革命。本项目的研究成果有望在光学量子计算，大数据分析，人工智能，激光雷达等方面发挥重要作用。
不过，8吋的铌酸锂晶片还处于试验阶段，离大规模生产还有相当长的一段路要走，所以我们还是持审慎的态度。但同样的，我们也可以通过一些新的技术，来帮助中国的半导体工业，获得更大的发展。
