IT之家3月23日消息，三星电子美国分公司负责人韩进万（HanJin-man）近日发布LinkedIn动态，分享了两张图片，英伟达首席执行官黄仁勋参观三星GTC2024展台时，在HBM3E12H上留下了亲笔签名。
黄仁勋在宣传“HBM3E12H”产品卡片上，亲笔签下了“JENSENAPPROVED”的字样。三星的HBM3E12H是业界首款12层堆叠产品，英伟达目前正在对该产品进行验证测试。
而在该照片发布之前，黄仁勋在吹风会中表示：“三星是一家非常非常优秀的公司，英伟达已经开始验证三星的HBM内存芯片，并考虑在未来下单采购”。
韩进万还在社交媒体上分享了一张照片，展示了黄仁勋在参观三星展台后和三星工作人员的合影照片。
黄仁勋并未正面表达亲笔签名的态度和确切含义，但业界猜测这反映了他对HBM3E的高度期望。
黄仁勋将HBM称为“技术奇迹”（technologicalmiracle），相比较传统DRAM，不仅可以提高数据中心的性能，功耗方面明显更低。
IT之家此前报道，三星HBM3E12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM38H，HBM3E12H在带宽和容量上提升超过50%。
据介绍，HBM3E12H采用了热压非导电薄膜（TCNCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。
因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题，这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。三星一直在努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的厚度，并实现芯片之间的间隙最小化至7微米（μm），同时消除了层与层之间的空隙。
这些努力使其HBM3E12H产品的垂直密度比其HBM38H产品提高了20%以上。
